三管腿通孔封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420801352.2

申请日：

2014-12-16

公开(公告)号：

CN204303799U

公开(公告)日：

2015-04-29

发明(设计)人：

陆江赵发展周宏宇刘刚

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L2348

IPC分类号：

H01R1370 H01R1270

代理机构：

北京华沛德权律师事务所 11302

代理人：

刘杰

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-07	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 23/48 登记生效日:20210425 变更事项:专利权人变更前权利人:中国科学院微电子研究所变更后权利人:安徽省东科半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:100029 北京市朝阳区北土城西路3号变更后权利人:243000 安徽省马鞍山市经济技术开发区银黄东路999号数字硅谷产业园38栋101-401
2021-11-09	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 23/48 变更事项:专利权人变更前:安徽省东科半导体有限公司变更后:东科半导体（安徽）股份有限公司变更事项:地址变更前:243000 安徽省马鞍山市经济技术开发区银黄东路999号数字硅谷产业园38栋101-401 变更后:243000 安徽省马鞍山市经济技术开发区银黄东路999号数字硅谷产业园38栋101-401
2015-04-29	授权	授权

共 40 条

[1]

用于TO-3封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置 [P].

陆江 ;

刘刚 ;

周宏宇 ;

赵发展 .

中国专利 :CN204389541U ,2015-06-10

[2]

适用于LCC-18封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置 [P].

陆江 ;

赵发展 ;

周宏宇 ;

刘刚 .

中国专利 :CN204347072U ,2015-05-20

[3]

一种提高功率器件雪崩耐量的方法 [P].

王素 ;

屈志军 .

中国专利 :CN121218663A ,2025-12-26

[4]

一种高雪崩耐量的深沟槽功率器件 [P].

朱袁正 ;

周锦程 .

中国专利 :CN207967003U ,2018-10-12

[5]

IGBT功率器件的雪崩耐量的测试方法及其测试装置 [P].

张娜娜 ;

邓钦球 .

中国专利 :CN110988642A ,2020-04-10

[6]

一种提高超结功率器件雪崩耐量的终端结构 [P].

任敏 ;

姚鑫 ;

王为 ;

许高潮 ;

韩天宇 ;

杨珏琳 ;

李泽宏 ;

张金平 ;

高巍 ;

张波 .

中国专利 :CN103996702B ,2014-08-20

[7]

一种高雪崩耐量的深沟槽功率器件 [P].

朱袁正 ;

周锦程 .

中国专利 :CN108336139A ,2018-07-27

[8]

可提升超结结构雪崩耐量的功率器件及制备方法 [P].

李梦豪 ;

邓小社 ;

杨飞 ;

朱阳军 .

中国专利 :CN117423723A ,2024-01-19

[9]

一种高雪崩耐量高可靠性的功率半导体器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

周锦程 ;

杨卓 ;

刘晶晶 .

中国专利 :CN215771158U ,2022-02-08

[10]

具有高雪崩耐量的碳化硅肖特基二极管器件及其制造方法 [P].

温正欣 ;

叶怀宇 ;

张国旗 .

中国专利 :CN110600533A ,2019-12-20

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