一种抑制双极晶体管电离缺陷形成的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810136610.2

申请日：

2018-02-09

公开(公告)号：

CN108346575A

公开(公告)日：

2018-07-31

发明(设计)人：

杨剑群李兴冀赵金宇董尚利

申请人：

申请人地址：

150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

IPC主分类号：

H01L21324

IPC分类号：

H01L2166

代理机构：

哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109

代理人：

杨立超

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/324 申请日:20180209
2018-07-31	公开	公开
2021-06-25	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/324 申请公布日:20180731

共 50 条

[1]

一种抑制双极晶体管低剂量率增强效应的方法 [P].

李兴冀 ;

杨剑群 ;

刘超铭 ;

赵金宇 .

中国专利 :CN108362988A ,2018-08-03

[2]

双极晶体管、半导体器件及双极晶体管的形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN104124154B ,2014-10-29

[3]

制造双极晶体管的方法和双极晶体管 [P].

埃弗利娜·格里德莱特 ;

托尼·范胡克 ;

约翰尼斯·唐克斯 ;

汉斯·莫腾斯 ;

布兰迪恩·杜利兹 .

中国专利 :CN102479704A ,2012-05-30

[4]

双极晶体管以及制造双极晶体管的方法 [P].

J·康拉斯 ;

H-J·舒尔策 .

中国专利 :CN109659359A ,2019-04-19

[5]

双极晶体管以及制造双极晶体管的方法 [P].

J·康拉斯 ;

H-J·舒尔策 .

中国专利 :CN104282739A ,2015-01-14

[6]

双极晶体管、半导体器件和双极晶体管的形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN104217945B ,2014-12-17

[7]

双极晶体管、双极晶体管的形成方法及带隙基准电路 [P].

季明华 ;

秦立瑛 ;

肖德元 .

中国专利 :CN101964346B ,2011-02-02

[8]

能够抑制晶体管特性退化的制造双极晶体管的方法 [P].

上田裕 .

中国专利 :CN1129174C ,1999-10-06

[9]

双极晶体管结构和制造双极晶体管结构的方法 [P].

C.达尔 ;

A.蒂尔克 ;

D.A.楚马科夫 .

中国专利 :CN105321995B ,2016-02-10

[10]

绝缘栅双极晶体管的形成方法 [P].

王健鹏 .

中国专利 :CN116313789B ,2025-10-17

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