一种抑制双极晶体管低剂量率增强效应的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810134750.6

申请日：

2018-02-09

公开(公告)号：

CN108362988A

公开(公告)日：

2018-08-03

发明(设计)人：

李兴冀杨剑群刘超铭赵金宇

申请人：

申请人地址：

150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

IPC主分类号：

G01R3126

IPC分类号：

代理机构：

哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109

代理人：

杨立超

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/26 申请日:20180209
2020-12-29	授权	授权
2018-08-03	公开	公开

共 50 条

[1]

一种抑制双极晶体管电离缺陷形成的方法 [P].

杨剑群 ;

李兴冀 ;

赵金宇 ;

董尚利 .

中国专利 :CN108346575A ,2018-07-31

[2]

基于改变温度及剂量率的低剂量率增强效应加速实验方法 [P].

李兴冀 ;

杨剑群 ;

刘超铭 ;

肖景东 ;

马国亮 ;

何世禹 ;

杨德庄 .

中国专利 :CN103884945B ,2014-06-25

[3]

一种低剂量率辐照损伤增强效应判定方法 [P].

吕贺 ;

李鹏伟 ;

孙明 ;

张洪伟 ;

梅博 ;

于庆奎 ;

李兴冀 ;

杨剑群 .

中国专利 :CN109521295B ,2019-03-26

[4]

一种MOS的低剂量率增强效应仿真模型构建方法 [P].

李兴冀 ;

崔秀海 ;

关恩浩 ;

吕钢 .

中国专利 :CN115659697A ,2023-01-31

[5]

一种双极器件低剂量率辐射损伤增强效应的甄别方法 [P].

马武英 ;

欧阳晓平 ;

缑石龙 ;

薛院院 ;

何宝平 .

中国专利 :CN118091357A ,2024-05-28

[6]

一种双极型晶体管低剂量率效应在轨测试电路及方法 [P].

王博 ;

魏志超 ;

杨智博 ;

怀娜娜 ;

郑雪松 ;

吕贺 ;

莫日根 ;

薛朋超 ;

张竞择 .

中国专利 :CN121208580A ,2025-12-26

[7]

辐射增强的双极晶体管 [P].

J·F·萨尔兹曼 ;

R·W·卡恩 ;

R·G·罗伊鲍尔 .

美国专利 :CN120882016A ,2025-10-31

[8]

辐射增强的双极晶体管 [P].

J·F·萨尔兹曼 ;

R·W·卡恩 ;

R·G·罗伊鲍尔 .

中国专利 :CN107546263A ,2018-01-05

[9]

铟增强的双极晶体管 [P].

T·约翰松 ;

H·诺尔斯特伦 .

中国专利 :CN1408123A ,2003-04-02

[10]

制造双极晶体管的方法和双极晶体管 [P].

埃弗利娜·格里德莱特 ;

托尼·范胡克 ;

约翰尼斯·唐克斯 ;

汉斯·莫腾斯 ;

布兰迪恩·杜利兹 .

中国专利 :CN102479704A ,2012-05-30

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