一种双极器件低剂量率辐射损伤增强效应的甄别方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410174143.8

申请日：

2024-02-07

公开(公告)号：

CN118091357A

公开(公告)日：

2024-05-28

发明(设计)人：

马武英欧阳晓平缑石龙薛院院何宝平

申请人：

西北核技术研究所

申请人地址：

710024 陕西省西安市灞桥区平峪路28号

IPC主分类号：

G01R31/265

IPC分类号：

G01R31/26

代理机构：

西安智邦专利商标代理有限公司 61211

代理人：

康进兴

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-28	公开	公开
2024-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01R 31/265申请日:20240207

共 50 条

[1]

双极型器件低剂量率辐射损伤增强效应试验的预处理系统及方法 [P].

杨少华 ;

王晓晗 ;

刘远 ;

恩云飞 ;

黄云 ;

雷志锋 ;

陈辉 .

中国专利 :CN104849642A ,2015-08-19

[2]

一种低剂量率辐照损伤增强效应判定方法 [P].

吕贺 ;

李鹏伟 ;

孙明 ;

张洪伟 ;

梅博 ;

于庆奎 ;

李兴冀 ;

杨剑群 .

中国专利 :CN109521295B ,2019-03-26

[3]

双极器件低剂量率辐照损伤预测方法 [P].

傅婧 ;

魏佳男 ;

付晓君 ;

张培健 ;

张小磊 ;

税国华 ;

朱梦蝶 ;

龙翠平 ;

赵明琪 .

中国专利 :CN119312549A ,2025-01-14

[4]

一种MOS的低剂量率增强效应仿真模型构建方法 [P].

李兴冀 ;

崔秀海 ;

关恩浩 ;

吕钢 .

中国专利 :CN115659697A ,2023-01-31

[5]

基于改变温度及剂量率的低剂量率增强效应加速实验方法 [P].

李兴冀 ;

杨剑群 ;

刘超铭 ;

肖景东 ;

马国亮 ;

何世禹 ;

杨德庄 .

中国专利 :CN103884945B ,2014-06-25

[6]

双极器件低剂量率辐照损伤升温匹配加速测试方法及系统 [P].

宋宇 ;

曾华秋 .

中国专利 :CN117434414A ,2024-01-23

[7]

一种抑制双极晶体管低剂量率增强效应的方法 [P].

李兴冀 ;

杨剑群 ;

刘超铭 ;

赵金宇 .

中国专利 :CN108362988A ,2018-08-03

[8]

一种基于高温氢气浸泡技术的双极型器件低剂量率增强效应加速试验方法 [P].

李鹏伟 ;

李兴冀 ;

赵玉玲 ;

刘艳秋 ;

刘广桥 ;

刘超铭 ;

周捧娟 ;

孙毅 ;

杨剑群 ;

朱伟娜 ;

何世禹 .

中国专利 :CN103869199A ,2014-06-18

[9]

一种抗低剂量率辐照的双极器件制造方法 [P].

赵昕 ;

王传敏 ;

杨小兵 ;

殷丽 ;

孙金池 ;

郝贵争 .

中国专利 :CN106653601B ,2017-05-10

[10]

基于变剂量率辐照的双极器件抗总剂量性能保守估计方法 [P].

姚志斌 ;

陈伟 ;

缑石龙 ;

何宝平 ;

马武英 ;

盛江坤 .

中国专利 :CN115629244A ,2023-01-20

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