基于改变温度及剂量率的低剂量率增强效应加速实验方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410136016.5

申请日：

2014-04-04

公开(公告)号：

CN103884945B

公开(公告)日：

2014-06-25

发明(设计)人：

李兴冀杨剑群刘超铭肖景东马国亮何世禹杨德庄

申请人：

申请人地址：

150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

IPC主分类号：

G01R3100

IPC分类号：

代理机构：

哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109

代理人：

张宏威

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-25	公开	公开
2014-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583885922 IPC(主分类):G01R 31/00 专利申请号:2014101360165 申请日:20140404
2016-04-20	授权	授权

共 32 条

[1]

一种基于高温氢气浸泡技术的双极型器件低剂量率增强效应加速试验方法 [P].

李鹏伟 ;

李兴冀 ;

赵玉玲 ;

刘艳秋 ;

刘广桥 ;

刘超铭 ;

周捧娟 ;

孙毅 ;

杨剑群 ;

朱伟娜 ;

何世禹 .

中国专利 :CN103869199A ,2014-06-18

[2]

一种低剂量率辐照损伤增强效应判定方法 [P].

吕贺 ;

李鹏伟 ;

孙明 ;

张洪伟 ;

梅博 ;

于庆奎 ;

李兴冀 ;

杨剑群 .

中国专利 :CN109521295B ,2019-03-26

[3]

一种抑制双极晶体管低剂量率增强效应的方法 [P].

李兴冀 ;

杨剑群 ;

刘超铭 ;

赵金宇 .

中国专利 :CN108362988A ,2018-08-03

[4]

一种MOS的低剂量率增强效应仿真模型构建方法 [P].

李兴冀 ;

崔秀海 ;

关恩浩 ;

吕钢 .

中国专利 :CN115659697A ,2023-01-31

[5]

一种双极器件低剂量率辐射损伤增强效应的甄别方法 [P].

马武英 ;

欧阳晓平 ;

缑石龙 ;

薛院院 ;

何宝平 .

中国专利 :CN118091357A ,2024-05-28

[6]

双极器件低剂量率辐照损伤预测方法 [P].

傅婧 ;

魏佳男 ;

付晓君 ;

张培健 ;

张小磊 ;

税国华 ;

朱梦蝶 ;

龙翠平 ;

赵明琪 .

中国专利 :CN119312549A ,2025-01-14

[7]

双极器件低剂量率辐照损伤升温匹配加速测试方法及系统 [P].

宋宇 ;

曾华秋 .

中国专利 :CN117434414A ,2024-01-23

[8]

双极型器件低剂量率辐射损伤增强效应试验的预处理系统及方法 [P].

杨少华 ;

王晓晗 ;

刘远 ;

恩云飞 ;

黄云 ;

雷志锋 ;

陈辉 .

中国专利 :CN104849642A ,2015-08-19

[9]

一种建立低剂量率水平辐射质的方法 [P].

黄建微 ;

曹蕾 ;

杨扬 ;

李德红 ;

张璇 ;

张晓乐 ;

刘博 ;

成建波 .

中国专利 :CN114371498A ,2022-04-19

[10]

一种建立低剂量率水平辐射质的方法 [P].

黄建微 ;

曹蕾 ;

杨扬 ;

李德红 ;

张璇 ;

张晓乐 ;

刘博 ;

成建波 .

中国专利 :CN114371498B ,2024-12-31

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