一种MOS的低剂量率增强效应仿真模型构建方法

被引：0

申请号：

CN202211410966.3

申请日：

2022-11-11

公开(公告)号：

CN115659697A

公开(公告)日：

2023-01-31

发明(设计)人：

李兴冀崔秀海关恩浩吕钢

申请人：

申请人地址：

150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

IPC主分类号：

G06F3020

IPC分类号：

G06F1711

代理机构：

北京隆源天恒知识产权代理有限公司 11473

代理人：

鲍丽伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-31	公开	公开
2023-02-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 30/20 申请日:20221111

共 50 条

[1]

一种低剂量率辐照损伤增强效应判定方法 [P].

吕贺 ;

李鹏伟 ;

孙明 ;

张洪伟 ;

梅博 ;

于庆奎 ;

李兴冀 ;

杨剑群 .

中国专利 :CN109521295B ,2019-03-26

[2]

基于改变温度及剂量率的低剂量率增强效应加速实验方法 [P].

李兴冀 ;

杨剑群 ;

刘超铭 ;

肖景东 ;

马国亮 ;

何世禹 ;

杨德庄 .

中国专利 :CN103884945B ,2014-06-25

[3]

一种抑制双极晶体管低剂量率增强效应的方法 [P].

李兴冀 ;

杨剑群 ;

刘超铭 ;

赵金宇 .

中国专利 :CN108362988A ,2018-08-03

[4]

一种双极器件低剂量率辐射损伤增强效应的甄别方法 [P].

马武英 ;

欧阳晓平 ;

缑石龙 ;

薛院院 ;

何宝平 .

中国专利 :CN118091357A ,2024-05-28

[5]

双极型器件低剂量率辐射损伤增强效应试验的预处理系统及方法 [P].

杨少华 ;

王晓晗 ;

刘远 ;

恩云飞 ;

黄云 ;

雷志锋 ;

陈辉 .

中国专利 :CN104849642A ,2015-08-19

[6]

一种基于高温氢气浸泡技术的双极型器件低剂量率增强效应加速试验方法 [P].

李鹏伟 ;

李兴冀 ;

赵玉玲 ;

刘艳秋 ;

刘广桥 ;

刘超铭 ;

周捧娟 ;

孙毅 ;

杨剑群 ;

朱伟娜 ;

何世禹 .

中国专利 :CN103869199A ,2014-06-18

[7]

一种低剂量率γ辐照对植物产生辐射效应的方法 [P].

原寒 ;

曹少飞 ;

乔新燕 ;

于志翔 ;

曹俏 ;

张晟 ;

贡文静 ;

王欣妮 ;

张超 ;

刘强强 ;

韩宝华 ;

王学文 ;

马炳辉 .

中国专利 :CN119817351A ,2025-04-15

[8]

一种建立低剂量率水平辐射质的方法 [P].

黄建微 ;

曹蕾 ;

杨扬 ;

李德红 ;

张璇 ;

张晓乐 ;

刘博 ;

成建波 .

中国专利 :CN114371498A ,2022-04-19

[9]

一种建立低剂量率水平辐射质的方法 [P].

黄建微 ;

曹蕾 ;

杨扬 ;

李德红 ;

张璇 ;

张晓乐 ;

刘博 ;

成建波 .

中国专利 :CN114371498B ,2024-12-31

[10]

一种瞬时剂量率效应PI-SI的仿真方法、系统与设备 [P].

贺朝会 ;

卢溶 ;

李洋 ;

郭亚鑫 ;

李永宏 ;

李培 ;

何欢 .

中国专利 :CN118428300A ,2024-08-02

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