一种低剂量率辐照损伤增强效应判定方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201811347645.7
申请日
2018-11-13
公开(公告)号
CN109521295B
公开(公告)日
2019-03-26
发明(设计)人
吕贺 李鹏伟 孙明 张洪伟 梅博 于庆奎 李兴冀 杨剑群
申请人
申请人地址
100194 北京市海淀区友谊路104号
IPC主分类号
G01R3100
IPC分类号
G01N144
代理机构
中国航天科技专利中心 11009
代理人
张晓飞
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
基于改变温度及剂量率的低剂量率增强效应加速实验方法 [P]. 
李兴冀 ;
杨剑群 ;
刘超铭 ;
肖景东 ;
马国亮 ;
何世禹 ;
杨德庄 .
中国专利 :CN103884945B ,2014-06-25
[2]
一种双极器件低剂量率辐射损伤增强效应的甄别方法 [P]. 
马武英 ;
欧阳晓平 ;
缑石龙 ;
薛院院 ;
何宝平 .
中国专利 :CN118091357A ,2024-05-28
[3]
一种MOS的低剂量率增强效应仿真模型构建方法 [P]. 
李兴冀 ;
崔秀海 ;
关恩浩 ;
吕钢 .
中国专利 :CN115659697A ,2023-01-31
[4]
双极器件低剂量率辐照损伤预测方法 [P]. 
傅婧 ;
魏佳男 ;
付晓君 ;
张培健 ;
张小磊 ;
税国华 ;
朱梦蝶 ;
龙翠平 ;
赵明琪 .
中国专利 :CN119312549A ,2025-01-14
[5]
一种抑制双极晶体管低剂量率增强效应的方法 [P]. 
李兴冀 ;
杨剑群 ;
刘超铭 ;
赵金宇 .
中国专利 :CN108362988A ,2018-08-03
[6]
一种低剂量率γ辐照对植物产生辐射效应的方法 [P]. 
原寒 ;
曹少飞 ;
乔新燕 ;
于志翔 ;
曹俏 ;
张晟 ;
贡文静 ;
王欣妮 ;
张超 ;
刘强强 ;
韩宝华 ;
王学文 ;
马炳辉 .
中国专利 :CN119817351A ,2025-04-15
[7]
双极型器件低剂量率辐射损伤增强效应试验的预处理系统及方法 [P]. 
杨少华 ;
王晓晗 ;
刘远 ;
恩云飞 ;
黄云 ;
雷志锋 ;
陈辉 .
中国专利 :CN104849642A ,2015-08-19
[8]
双极器件低剂量率辐照损伤升温匹配加速测试方法及系统 [P]. 
宋宇 ;
曾华秋 .
中国专利 :CN117434414A ,2024-01-23
[9]
一种基于高温氢气浸泡技术的双极型器件低剂量率增强效应加速试验方法 [P]. 
李鹏伟 ;
李兴冀 ;
赵玉玲 ;
刘艳秋 ;
刘广桥 ;
刘超铭 ;
周捧娟 ;
孙毅 ;
杨剑群 ;
朱伟娜 ;
何世禹 .
中国专利 :CN103869199A ,2014-06-18
[10]
一种抗低剂量率辐照的双极器件制造方法 [P]. 
赵昕 ;
王传敏 ;
杨小兵 ;
殷丽 ;
孙金池 ;
郝贵争 .
中国专利 :CN106653601B ,2017-05-10