半导体器件测试系统

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN202020488620.5
申请日
2020-04-07
公开(公告)号
CN212364485U
公开(公告)日
2021-01-15
发明(设计)人
蒋成明 雷仕建 刘福红 何强 王叙夫 王运
申请人
申请人地址
518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道办事处秀新社区锦绣中路14号深福保现代光学厂区B栋101
IPC主分类号
G01R3126
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
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国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件测试系统及方法 [P]. 
蒋成明 ;
雷仕建 ;
刘福红 ;
何强 ;
王叙夫 ;
王运 .
中国专利 :CN111537857A ,2020-08-14
[2]
一种半导体器件测试系统 [P]. 
韩正 ;
王刚 ;
朱国军 ;
唐德平 .
中国专利 :CN211348526U ,2020-08-25
[3]
半导体器件测试系统 [P]. 
刘冲 ;
李洁 ;
阚劲松 .
中国专利 :CN303957957S ,2016-12-07
[4]
半导体器件测试系统 [P]. 
张庆勋 ;
吴世京 ;
李应尚 .
中国专利 :CN101932943B ,2010-12-29
[5]
半导体器件测试装置和半导体器件测试系统 [P]. 
吴靖宇 ;
岳焕慧 ;
刘怀超 .
中国专利 :CN220568889U ,2024-03-08
[6]
一种半导体器件测试系统及其测试方法 [P]. 
韩正 ;
王刚 ;
朱国军 ;
唐德平 .
中国专利 :CN110954803A ,2020-04-03
[7]
用于测试半导体器件的方法和半导体器件测试系统 [P]. 
K·B·埃令顿 ;
K·J·迪克森 .
中国专利 :CN101889337A ,2010-11-17
[8]
半导体器件模组测试系统 [P]. 
陈杰 ;
周德祥 ;
孙志强 ;
杨建 ;
杜韦慷 .
中国专利 :CN217112602U ,2022-08-02
[9]
氮化镓半导体器件测试系统及方法 [P]. 
王威 ;
邱绍谚 ;
袁家祥 ;
李鸿万 ;
高国昌 .
中国专利 :CN118655435A ,2024-09-17
[10]
氮化镓半导体器件测试系统及方法 [P]. 
王威 .
中国专利 :CN120652242A ,2025-09-16