硅基压电薄膜体声波谐振器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202022742166.4

申请日：

2020-11-24

公开(公告)号：

CN213879775U

公开(公告)日：

2021-08-03

发明(设计)人：

高安明姜伟刘伟

申请人：

申请人地址：

325024 浙江省温州市龙湾区永中街道温州浙南科技城创新创业新天地1号楼505(仅限办公使用)

IPC主分类号：

H03H3007

IPC分类号：

H03H302 H03H304 H03H902 H03H917 H03H919 H01L4108 H01L4122

代理机构：

上海段和段律师事务所 31334

代理人：

李佳俊;郭国中

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-08	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H03H 3/007 登记生效日:20220223 变更事项:专利权人变更前权利人:浙江信唐智芯科技有限公司变更后权利人:浙江星曜半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:325024 浙江省温州市龙湾区永中街道温州浙南科技城创新创业新天地1号楼505(仅限办公使用) 变更后权利人:325038 浙江省温州市浙南科技城创新创业新天地一期1号楼506室(自主申报)
2021-08-03	授权	授权

共 50 条

[1]

基于硅上压电薄膜结构的体声波谐振器及制备方法 [P].

高安明 ;

姜伟 ;

刘伟 .

中国专利 :CN112350679B ,2025-09-09

[2]

基于硅上压电薄膜结构的体声波谐振器及制备方法 [P].

高安明 ;

姜伟 ;

刘伟 .

中国专利 :CN112350679A ,2021-02-09

[3]

薄膜体声波谐振器 [P].

张树民 ;

王国浩 ;

汪泉 .

中国专利 :CN209930221U ,2020-01-10

[4]

基于绝缘体硅基片的薄膜体声波谐振器及通信器件 [P].

张树民 ;

王国浩 ;

房华 .

中国专利 :CN206542386U ,2017-10-03

[5]

薄膜体声波谐振器 [P].

杨帅 ;

张章 ;

吴珂 ;

张丽蓉 ;

庄智强 ;

王超 .

中国专利 :CN117997303A ,2024-05-07

[6]

薄膜体声波谐振器 [P].

张孟伦 ;

庞慰 .

中国专利 :CN115001433A ,2022-09-02

[7]

带有支撑结构的薄膜体声波谐振器及通信器件 [P].

张树民 ;

王国浩 ;

房华 .

中国专利 :CN206542385U ,2017-10-03

[8]

一种压电薄膜体声波谐振器 [P].

汤亮 ;

乔东海 .

中国专利 :CN101951238A ,2011-01-19

[9]

薄膜体声波谐振器 [P].

窦韶旭 ;

吴珂 ;

韩琦 ;

王超 ;

庄玉召 ;

程诗阳 ;

张丽蓉 ;

杨帅 .

中国专利 :CN111404509A ,2020-07-10

[10]

薄膜体声波谐振器 [P].

欧文 .

中国专利 :CN211744436U ,2020-10-23

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