基于硅上压电薄膜结构的体声波谐振器及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011332618.X

申请日：

2020-11-24

公开(公告)号：

CN112350679A

公开(公告)日：

2021-02-09

发明(设计)人：

高安明姜伟刘伟

申请人：

申请人地址：

325024 浙江省温州市龙湾区永中街道温州浙南科技城创新创业新天地1号楼505(仅限办公使用)

IPC主分类号：

H03H3007

IPC分类号：

H03H302 H03H304 H03H902 H03H917 H03H919 H01L4108 H01L4122

代理机构：

上海段和段律师事务所 31334

代理人：

李佳俊;郭国中

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H03H 3/007 申请日:20201124
2022-02-18	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H03H 3/007 登记生效日:20220208 变更事项:申请人变更前权利人:浙江信唐智芯科技有限公司变更后权利人:浙江星曜半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:325024 浙江省温州市龙湾区永中街道温州浙南科技城创新创业新天地1号楼505(仅限办公使用) 变更后权利人:325038 浙江省温州市浙南科技城创新创业新天地一期1号楼506室(自主申报)
2021-02-09	公开	公开

共 50 条

[1]

基于硅上压电薄膜结构的体声波谐振器及制备方法 [P].

高安明 ;

姜伟 ;

刘伟 .

中国专利 :CN112350679B ,2025-09-09

[2]

硅基压电薄膜体声波谐振器 [P].

高安明 ;

姜伟 ;

刘伟 .

中国专利 :CN213879775U ,2021-08-03

[3]

基于绝缘体硅基片的薄膜体声波谐振器及通信器件 [P].

张树民 ;

王国浩 ;

房华 .

中国专利 :CN206542386U ,2017-10-03

[4]

带有支撑结构的薄膜体声波谐振器及通信器件 [P].

张树民 ;

王国浩 ;

房华 .

中国专利 :CN206542385U ,2017-10-03

[5]

薄膜腔体声波谐振器的制备方法、薄膜腔体声波谐振器 [P].

李国强 .

中国专利 :CN115333497A ,2022-11-11

[6]

基于SOI基片的薄膜体声波谐振器及其制备方法 [P].

张树民 ;

王国浩 ;

房华 .

中国专利 :CN107222181A ,2017-09-29

[7]

带有支撑结构的薄膜体声波谐振器及其制备方法 [P].

张树民 ;

王国浩 ;

房华 .

中国专利 :CN107231138A ,2017-10-03

[8]

压电薄膜体声波谐振器及其制备方法 [P].

朱宇波 ;

李卫民 ;

母志强 ;

吴挺俊 ;

朱雷 ;

俞文杰 .

中国专利 :CN113708740B ,2024-04-26

[9]

压电薄膜体声波谐振器及其制备方法 [P].

朱宇波 ;

李卫民 ;

母志强 ;

吴挺俊 ;

朱雷 ;

俞文杰 .

中国专利 :CN113708740A ,2021-11-26

[10]

薄膜体声波谐振器 [P].

张树民 ;

王国浩 ;

汪泉 .

中国专利 :CN209930221U ,2020-01-10

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