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基于硅上压电薄膜结构的体声波谐振器及制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011332618.X
申请日：
2020-11-24
公开(公告)号：
CN112350679B
公开(公告)日：
2025-09-09
发明(设计)人：
高安明 姜伟 刘伟
申请人：
浙江星曜半导体有限公司
申请人地址：
325038 浙江省温州市浙南科技城创新创业新天地一期1号楼506室(自主申报)
IPC主分类号：
H03H3/007
IPC分类号：
H03H3/02 H03H3/04 H03H9/02 H03H9/17 H03H9/19 H10N30/01 H10N30/00
代理机构：
上海段和段律师事务所 31334
代理人：
李佳俊;郭国中
法律状态：
授权
国省代码：
浙江省 温州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-09-09 授权 授权
共 50 条
[1]
基于硅上压电薄膜结构的体声波谐振器及制备方法 [P]. 
高安明 ;
姜伟 ;
刘伟 .
中国专利 :CN112350679A ,2021-02-09
[2]
硅基压电薄膜体声波谐振器 [P]. 
高安明 ;
姜伟 ;
刘伟 .
中国专利 :CN213879775U ,2021-08-03
[3]
基于绝缘体硅基片的薄膜体声波谐振器及通信器件 [P]. 
张树民 ;
王国浩 ;
房华 .
中国专利 :CN206542386U ,2017-10-03
[4]
带有支撑结构的薄膜体声波谐振器及通信器件 [P]. 
张树民 ;
王国浩 ;
房华 .
中国专利 :CN206542385U ,2017-10-03
[5]
薄膜腔体声波谐振器的制备方法、薄膜腔体声波谐振器 [P]. 
李国强 .
中国专利 :CN115333497A ,2022-11-11
[6]
基于SOI基片的薄膜体声波谐振器及其制备方法 [P]. 
张树民 ;
王国浩 ;
房华 .
中国专利 :CN107222181A ,2017-09-29
[7]
带有支撑结构的薄膜体声波谐振器及其制备方法 [P]. 
张树民 ;
王国浩 ;
房华 .
中国专利 :CN107231138A ,2017-10-03
[8]
压电薄膜体声波谐振器及其制备方法 [P]. 
朱宇波 ;
李卫民 ;
母志强 ;
吴挺俊 ;
朱雷 ;
俞文杰 .
中国专利 :CN113708740B ,2024-04-26
[9]
压电薄膜体声波谐振器及其制备方法 [P]. 
朱宇波 ;
李卫民 ;
母志强 ;
吴挺俊 ;
朱雷 ;
俞文杰 .
中国专利 :CN113708740A ,2021-11-26
[10]
薄膜体声波谐振器 [P]. 
张树民 ;
王国浩 ;
汪泉 .
中国专利 :CN209930221U ,2020-01-10
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