芯材料和半导体封装体和凸块电极的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711286173.4

申请日：

2017-12-07

公开(公告)号：

CN108172523B

公开(公告)日：

2018-06-15

发明(设计)人：

西野友朗近藤茂喜服部贵洋川崎浩由六本木贵弘相马大辅佐藤勇

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2160

IPC分类号：

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-15	公开	公开
2018-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/60 申请日:20171207
2019-03-01	授权	授权

共 50 条

[1]

芯材料和钎焊接头和凸块电极的形成方法 [P].

近藤茂喜 ;

土屋政人 ;

须藤皓纪 ;

川崎浩由 ;

六本木贵弘 ;

相马大辅 ;

佐藤勇 .

中国专利 :CN109693054A ,2019-04-30

[2]

形成导电块的方法、半导体封装和形成半导体封装的方法 [P].

李承炫 ;

李相勋 ;

朴桃衍 ;

朴商埈 ;

全在庆 .

韩国专利 :CN119725220A ,2025-03-28

[3]

半导体封装体和用于形成半导体封装体的方法 [P].

栾竟恩 .

中国专利 :CN106920781A ,2017-07-04

[4]

具有柱和凸块结构的半导体封装体 [P].

J·泰伊塞伊瑞 ;

靳永钢 ;

刘云 .

中国专利 :CN106024749A ,2016-10-12

[5]

凸块结构和半导体封装件 [P].

郭明苍 ;

蒋源峰 .

中国专利 :CN217426732U ,2022-09-13

[6]

半导体封装和其形成方法 [P].

张任远 ;

赖佳平 .

中国专利 :CN114783957A ,2022-07-22

[7]

半导体封装和形成半导体封装的方法 [P].

E·菲尔古特 ;

R·奥特伦巴 ;

I·埃舍尔-珀佩尔 ;

M·格鲁贝尔 .

中国专利 :CN111952272A ,2020-11-17

[8]

形成半导体封装的方法和半导体封装 [P].

张超发 ;

郑家锋 ;

J·奥克伦布尔格 .

中国专利 :CN109637998A ,2019-04-16

[9]

半导体封装和形成半导体封装的方法 [P].

陈文荣 ;

李育富 ;

甘振昌 .

中国专利 :CN103579015A ,2014-02-12

[10]

半导体封装、封装形成方法和供电模块 [P].

梁琳 ;

陈峤 ;

邱俊杰 ;

梁一鸣 .

中国专利 :CN118213336A ,2024-06-18

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