半导体制造用气体喷射器基座

被引：0

专利类型：

外观设计

申请号：

CN200630131107.6

申请日：

2006-06-27

公开(公告)号：

CN3657444D

公开(公告)日：

2007-06-13

发明(设计)人：

齐藤哲也五味久掛川崇

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

1599

IPC分类号：

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-06-13	授权	授权
2016-07-27	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件类型代码:1611 号牌文件序号:101672084829 主分类号:15-99 专利号:ZL2006301311076 申请日:20060627 授权公告日:20070613 终止日期:无

共 50 条

[1]

半导体制造用气体喷射器基座 [P].

齐藤哲也 ;

五味久 ;

掛川崇 .

中国专利 :CN3652230D ,2007-05-30

[2]

半导体制造用气体喷射器 [P].

齐藤哲也 ;

五味久 ;

掛川崇 .

中国专利 :CN3657443D ,2007-06-13

[3]

半导体制造用气体喷射器 [P].

齐藤哲也 ;

五味久 ;

掛川崇 .

中国专利 :CN3657442D ,2007-06-13

[4]

半导体制造用气体喷射器基座 [P].

齐藤哲也 ;

五味久 ;

掛川崇 .

中国专利 :CN3652229D ,2007-05-30

[5]

用于半导体制造设备的气体喷射器 [P].

李相坤 .

中国专利 :CN1576391B ,2005-02-09

[6]

半导体制造机的基座 [P].

森崎英介 ;

山内准 .

中国专利 :CN301492492S ,2011-03-23

[7]

半导体制造机的基座 [P].

森崎英介 ;

山内准 .

中国专利 :CN301365395S ,2010-10-13

[8]

半导体制造机的基座 [P].

佐佐木清秀 .

中国专利 :CN302081588S ,2012-09-19

[9]

半导体制造方法以及半导体制造装置 [P].

青山敬幸 ;

加藤慎一 .

中国专利 :CN105428400A ,2016-03-23

[10]

半导体制造装置用氧化防止气体供给器 [P].

国吉勝俊 ;

木内逸人 .

中国专利 :CN302351212S ,2013-03-13

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