用于处理半导体衬底的方法及设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980082628.1

申请日：

2019-12-11

公开(公告)号：

CN113169043A

公开(公告)日：

2021-07-23

发明(设计)人：

丹尼尔·布赖恩卡尔-海因茨·霍恩沃特伯恩哈德·洛伊德尔赫尔穆特·洛伊阿努尔夫·卡斯特纳迈克尔·克莱姆托马斯·科米特

申请人：

申请人地址：

奥地利菲拉赫

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21311 B81C100 H01L2167

代理机构：

上海胜康律师事务所 31263

代理人：

樊英如;张静

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20191211
2021-07-23	公开	公开

共 50 条

[1]

用于处理半导体衬底的方法及设备 [P].

丹尼尔·布赖恩 ;

卡尔-海因茨·霍恩沃特 ;

伯恩哈德·洛伊德尔 ;

赫尔穆特·洛伊 ;

阿努尔夫·卡斯特纳 ;

迈克尔·克莱姆 ;

托马斯·科米特 .

:CN113169043B ,2025-06-24

[2]

用于处理半导体衬底的设备及方法 [P].

P·沃勒 ;

R·L·沃尔博夫 ;

M·科林 .

英国专利 :CN120127023A ,2025-06-10

[3]

处理半导体衬底的设备以及处理半导体衬底的方法 [P].

徐暐智 ;

庄凯麟 ;

简渊基 ;

杨政辉 ;

刘俊秀 .

中国专利 :CN106601649A ,2017-04-26

[4]

半导体衬底及用于形成半导体衬底的方法 [P].

J·皮杰卡 ;

简·海布尔 ;

杜桑·波斯图尔卡 ;

朱拉·贾丽娜 ;

戴维·莱萨切克 .

美国专利 :CN119967878A ,2025-05-09

[5]

用于处理半导体衬底的方法 [P].

W·舒施特雷德 ;

A·布雷梅泽 ;

M·德拉吉奇 ;

T·F·W·赫希鲍尔 ;

W·莱纳特 ;

H-J·舒尔茨 ;

M·D·施沃博达 .

中国专利 :CN112864005A ,2021-05-28

[6]

用于处理半导体衬底的设备和方法 [P].

A·韦迪 ;

G·伯尼希 ;

N·厄施勒 ;

C·施塔尔胡特 .

中国专利 :CN109216234A ,2019-01-15

[7]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

吉田佳子 ;

山口泰男 ;

成冈英树 ;

岩松俊明 ;

木村泰広 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1223458A ,1999-07-21

[8]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

岩松俊明 ;

山口泰男 ;

前田茂伸 ;

一法师隆志 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1115716C ,1999-04-14

[9]

用于化学处理半导体衬底的设备 [P].

I.梅尔尼克 ;

P.法思 ;

W.约斯 .

中国专利 :CN208433367U ,2019-01-25

[10]

用于处理半导体衬底的方法和用于处理半导体晶片的方法 [P].

M·海因里奇 ;

J·希尔施勒 ;

M·米希茨 ;

M·勒斯纳 ;

G·施特兰茨尔 ;

M·兹加加 .

中国专利 :CN105609410A ,2016-05-25

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