测量不同材料界面剂量分布的多层平板电离室

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02114495.8

申请日：

2002-04-05

公开(公告)号：

CN1450363A

公开(公告)日：

2003-10-22

发明(设计)人：

郭红霞吴国荣韩福斌陈雨生周辉

申请人：

申请人地址：

710024陕西省西安市69信箱16分箱

IPC主分类号：

G01T1185

IPC分类号：

代理机构：

西安新思维专利事务所有限公司

代理人：

李罡

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-02-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2003-10-22	公开	公开
2004-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效

共 17 条

[1]

用于X射线源剂量率监控的穿透电离室 [P].

李元景 ;

缪庆文 ;

张清军 ;

高文焕 ;

代主得 ;

郭红云 .

中国专利 :CN2591644Y ,2003-12-10

[2]

一种外推电离室自动测量系统 [P].

王红玉 ;

魏可新 ;

宋明哲 ;

侯金兵 ;

高飞 .

中国专利 :CN104122575B ,2014-10-29

[3]

一种用于医用直线加速器剂量监测的陶瓷基底透射型平板电离室 [P].

林志刚 .

中国专利 :CN223229759U ,2025-08-15

[4]

一种用于X射线源剂量率监控的穿透电离室 [P].

李元景 ;

缪庆文 ;

张清军 ;

高文焕 ;

代主得 ;

郭红云 .

中国专利 :CN1220069C ,2004-06-30

[5]

低零点飘移的PID传感器电离室 [P].

胡滨 ;

杨震夏 ;

王军伟 .

中国专利 :CN210221897U ,2020-03-31

[6]

一种光离子化传感器用的电离室结构 [P].

徐进 ;

韦俊峥 ;

李君 ;

何雪萍 .

中国专利 :CN222087637U ,2024-11-29

[7]

一种低零点飘移的PID传感器电离室 [P].

胡滨 ;

杨震夏 ;

王军伟 .

中国专利 :CN110208362A ,2019-09-06

[8]

一种低零点飘移的PID传感器电离室 [P].

胡滨 ;

杨震夏 ;

王军伟 .

中国专利 :CN110208362B ,2024-08-30

[9]

用于测量高剂量率电离辐射的方法和设备 [P].

尤尔根·斯坦因 .

中国专利 :CN112166348A ,2021-01-01

[10]

用于测量高剂量率电离辐射的方法和设备 [P].

尤尔根·斯坦因 .

德国专利 :CN112166348B ,2024-08-20