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溅射靶材、靶材组件及靶材组件的制作方法

被引：0
申请号：
CN202210091744.3
申请日：
2022-01-26
公开(公告)号：
CN114351096A
公开(公告)日：
2022-04-15
发明(设计)人：
大岩一彦 姚科科 山田浩
申请人：
申请人地址：
312000 浙江省绍兴市越城区银桥路326号
IPC主分类号：
C23C1434
IPC分类号：
B23K1500 B23K2012
代理机构：
杭州天勤知识产权代理有限公司 33224
代理人：
高佳逸
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-04-15 公开 公开
2022-05-03 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/34 申请日:20220126
共 50 条
[1]
溅射靶材、靶材组件及靶材组件的制作方法 [P]. 
大岩一彦 ;
姚科科 ;
山田浩 .
中国专利 :CN114351096B ,2025-03-25
[2]
溅射靶材、靶材组件 [P]. 
大岩一彦 ;
姚科科 ;
山田浩 .
中国专利 :CN217757629U ,2022-11-08
[3]
靶材组件的制作方法 [P]. 
姚力军 ;
潘杰 ;
王学泽 ;
罗明浩 ;
占卫君 .
中国专利 :CN111041431A ,2020-04-21
[4]
一种磁性溅射靶材、靶材组件及磁控溅射方法 [P]. 
边逸军 ;
姚力军 ;
吕燕妮 ;
钟伟华 .
中国专利 :CN120041798A ,2025-05-27
[5]
铜镓合金溅射靶材的制备方法及靶材 [P]. 
孔伟华 .
中国专利 :CN109136635A ,2019-01-04
[6]
靶材的制作方法 [P]. 
姚力军 ;
潘杰 ;
王学泽 ;
陈勇军 ;
刘庆 .
中国专利 :CN101591768B ,2009-12-02
[7]
一种靶材溅射装置及其溅射靶材的方法 [P]. 
魏钰 .
中国专利 :CN105112871A ,2015-12-02
[8]
溅射靶用靶材的制造方法 [P]. 
高井惠一 ;
尾野直纪 .
中国专利 :CN1984855A ,2007-06-20
[9]
溅射靶材及溅射靶材的制造方法 [P]. 
黑田稔显 ;
柴田宪治 ;
渡边和俊 ;
岩谷幸作 .
日本专利 :CN119731367A ,2025-03-28
[10]
靶材组件的加工方法 [P]. 
姚力军 ;
潘杰 ;
相原俊夫 ;
大岩一彦 ;
王学泽 ;
段高林 .
中国专利 :CN106312565B ,2017-01-11
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