硅单晶片器件制备区域表面完美性的控制方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610014303.4

申请日：

2006-06-09

公开(公告)号：

CN1870227A

公开(公告)日：

2006-11-29

发明(设计)人：

刘玉岭檀柏梅

申请人：

申请人地址：

300130天津市红桥区光荣道8号

IPC主分类号：

H01L2130

IPC分类号：

代理机构：

天津市三利专利商标代理有限公司

代理人：

刘英兰

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-09-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101005244846 IPC(主分类):H01L 21/30 专利号:ZL2006100143034 申请日:20060609 授权公告日:20090114
2009-01-14	授权	授权
2007-01-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-11-29	公开	公开

共 50 条

[1]

IGBT用硅单晶片和IGBT用硅单晶片的制造方法 [P].

小野敏昭 ;

梅野繁 ;

杉村涉 ;

宝来正隆 .

中国专利 :CN101054721A ,2007-10-17

[2]

硅单晶片的残余应力的测试方法 [P].

徐永平 ;

刘剑 .

中国专利 :CN102435361B ,2012-05-02

[3]

一种消除硅单晶片器件制作区原生坑缺陷的方法 [P].

肖清华 ;

屠海令 ;

周旗钢 ;

王敬 .

中国专利 :CN1632919A ,2005-06-29

[4]

一种用于硅单晶片的表面研磨组合物 [P].

王坤燕 ;

唐培松 ;

曹枫 ;

陈海锋 ;

徐敏虹 ;

潘国祥 .

中国专利 :CN102585766A ,2012-07-18

[5]

检测硅单晶COP free区域分布的方法 [P].

王若男 ;

祁海滨 ;

徐佳美 ;

陈国喆 ;

刘琨 ;

黄森 ;

杨凯 .

中国专利 :CN120507188A ,2025-08-19

[6]

硅单晶的制造方法和硅晶片 [P].

小野敏昭 ;

杉村涉 ;

宝来正隆 .

中国专利 :CN101160420B ,2008-04-09

[7]

硅单晶的生产方法及装置、硅单晶和硅半导体晶片 [P].

维尔弗里德·冯·安蒙 ;

贾尼斯·维尔布利斯 ;

马丁·韦伯 ;

托马斯·韦策尔 ;

赫伯特·施密特 .

中国专利 :CN100374628C ,2004-10-27

[8]

用于制造高质量硅单晶锭的方法以及由其制得的硅单晶片 [P].

赵铉鼎 .

中国专利 :CN101037794A ,2007-09-19

[9]

直拉硅单晶的收尾方法及直拉硅单晶的制备方法 [P].

王思锋 ;

潘永娥 ;

潘得俊 .

中国专利 :CN106676621B ,2017-05-17

[10]

检测N型重掺硅单晶片或锭晶格缺陷的方法 [P].

邹子英 ;

闵靖 ;

郭瑾 ;

吴晓虹 ;

谢江华 ;

宗龙章 ;

叶祖超 .

中国专利 :CN1523343A ,2004-08-25

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