一种消除硅单晶片器件制作区原生坑缺陷的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200310112908.3

申请日：

2003-12-25

公开(公告)号：

CN1632919A

公开(公告)日：

2005-06-29

发明(设计)人：

肖清华屠海令周旗钢王敬

申请人：

申请人地址：

100088北京市新街口外大街2号

IPC主分类号：

H01L21265

IPC分类号：

H01L21324

代理机构：

北京元中知识产权代理有限责任公司

代理人：

母宗绪;王明霞

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

硅单晶片器件制备区域表面完美性的控制方法 [P].

刘玉岭 ;

檀柏梅 .

中国专利 :CN1870227A ,2006-11-29

[2]

一种用于制作超薄硅单晶片的化学刻蚀装置 [P].

李国岭 ;

周锋子 ;

徐力 ;

郭金娥 ;

徐信富 .

中国专利 :CN103681299A ,2014-03-26

[3]

一种用于制作超薄硅单晶片的化学刻蚀装置 [P].

李国岭 ;

周锋子 ;

徐力 ;

郭金娥 ;

徐信富 .

中国专利 :CN202888134U ,2013-04-17

[4]

一种用于硅单晶片的酸洗机 [P].

王世江 ;

吴启宝 .

中国专利 :CN217165706U ,2022-08-12

[5]

一种制备<110>区熔硅单晶的方法 [P].

高树良 ;

王彦君 ;

张雪囡 ;

王岩 ;

汪雨田 ;

王聚安 ;

李翔 ;

沈浩平 .

中国专利 :CN101974779A ,2011-02-16

[6]

硅单晶晶片、其制造方法以及检测缺陷的方法 [P].

沈遇荣 .

中国专利 :CN104919570B ,2015-09-16

[7]

硅单晶晶片、其制造方法以及检测缺陷的方法 [P].

沈遇荣 .

中国专利 :CN108441940A ,2018-08-24

[8]

检测N型重掺硅单晶片或锭晶格缺陷的方法 [P].

邹子英 ;

闵靖 ;

郭瑾 ;

吴晓虹 ;

谢江华 ;

宗龙章 ;

叶祖超 .

中国专利 :CN1523343A ,2004-08-25

[9]

一种用于制作超薄硅单晶片的金属浆丝网印刷装置 [P].

李国岭 ;

徐力 ;

郭金娥 ;

徐信富 ;

周锋子 .

中国专利 :CN202878887U ,2013-04-17

[10]

一种用于制作超薄硅单晶片的金属浆丝网印刷装置 [P].

李国岭 ;

徐力 ;

郭金娥 ;

徐信富 ;

周锋子 .

中国专利 :CN103660533A ,2014-03-26

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-02	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101702355598 IPC(主分类):H01L 21/265 专利号:ZL2003101129083 变更事项:专利权人变更前:有研半导体材料股份有限公司变更后:有研新材料股份有限公司变更事项:地址变更前:100088 北京市西城区新街口外大街2号变更后:100088 北京市西城区新街口外大街2号
2021-07-20	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/265 变更事项:专利权人变更前:有研半导体材料有限公司变更后:有研半导体硅材料股份有限公司变更事项:地址变更前:101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧变更后:101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
2007-04-04	授权	授权
2015-10-14	发明专利更正	发明专利公报更正号牌文件类型代码:1608 号牌文件序号:101721880057 卷:31 号:33 页码:无申请号:2003101129083 IPC(主分类):H01L0021265000 修正类型代码:无更正项目:专利权人\|地址误:有研半导体材料股份有限公司\|101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧正:有研半导体材料有限公司\|101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
2005-06-29	公开	公开
2012-03-14	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101300737104 IPC(主分类):H01L 21/265 专利号:ZL2003101129083 变更事项:专利权人变更前权利人:北京有色金属研究总院变更后权利人:有研半导体材料股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:100088 北京市新街口外大街2号变更后权利人:100088 北京市西城区新街口外大街2号变更事项:共同专利权人变更前权利人:有研半导体材料股份有限公司变更后权利人:无登记生效日:20120206
2005-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2015-08-19	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101719525079 IPC(主分类):H01L 21/265 专利号:ZL2003101129083 变更事项:专利权人变更前权利人:有研新材料股份有限公司变更后权利人:有研半导体材料股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:100088 北京市西城区新街口外大街2号变更后权利人:101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧登记生效日:20150729
2021-07-30	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/265 变更事项:专利权人变更前:有研半导体材料有限公司变更后:有研半导体硅材料股份公司变更事项:地址变更前:101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧变更后:101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧