一种碳化硅半导体的加工装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202021582304.0

申请日：

2020-08-03

公开(公告)号：

CN213164671U

公开(公告)日：

2021-05-11

发明(设计)人：

不公告发明人

申请人：

申请人地址：

277500 山东省枣庄市滕州市级索镇级翔工业园

IPC主分类号：

B24B1922

IPC分类号：

B24B4106 B24B5506

代理机构：

重庆创新专利商标代理有限公司 50125

代理人：

沈红星

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-11	授权	授权

共 50 条

[1]

一种碳化硅半导体加工设备 [P].

谭晶晶 .

中国专利 :CN215507210U ,2022-01-14

[2]

碳化硅半导体基底和碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

中国专利 :CN110137241A ,2019-08-16

[3]

一种碳化硅衬底加工装置 [P].

王蓉 ;

王芸霞 ;

皮孝东 ;

沈典宇 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN216663300U ,2022-06-03

[4]

一种用于碳化硅工件的倒角加工装置 [P].

马红彬 ;

宛鹏 .

中国专利 :CN211388095U ,2020-09-01

[5]

碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅半导体装置 [P].

中西洋介 ;

冈部博明 ;

吉田基 ;

须贺原和之 ;

富永贵亮 .

中国专利 :CN106165066A ,2016-11-23

[6]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

巻渕阳一 ;

堤岳志 ;

荒岡干 ;

岡本光央 ;

福田宪司 .

中国专利 :CN105531802A ,2016-04-27

[7]

碳化硅半导体晶片、碳化硅半导体芯片及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

滨野健一 ;

大野彰仁 ;

沟部卓真 ;

酒井雅 ;

木村泰广 ;

三谷阳一郎 ;

金泽孝 .

中国专利 :CN109996908B ,2019-07-09

[8]

一种碳化硅半导体 [P].

黄仲濬 ;

蒋文甄 .

中国专利 :CN105514153A ,2016-04-20

[9]

碳化硅衬底、碳化硅晶片、碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

日本专利 :CN118374882A ,2024-07-23

[10]

碳化硅半导体装置，碳化硅半导体装置的制造方法以及碳化硅半导体装置的设计方法 [P].

井上徹人 ;

菅井昭彦 ;

中村俊一 .

中国专利 :CN105637643A ,2016-06-01

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