低介电常数材料以及通过CVD的加工方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02120627.9

申请日：

2002-05-23

公开(公告)号：

CN1255573C

公开(公告)日：

2003-01-08

发明(设计)人：

M·L·奥内尔 B·K·彼得森 J·L·文森特 R·N·弗蒂斯

申请人：

申请人地址：

美国宾夕法尼亚州

IPC主分类号：

C23C1600

IPC分类号：

H01L2131

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

卢新华;邰红

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-05-10	授权	授权
2003-04-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2003-01-08	公开	公开
2010-08-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101004438873 IPC(主分类):C23C 16/00 专利号:ZL021206279 申请日:20020523 授权公告日:20060510
2002-10-16	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

低介电常数材料以及化学气相沉积（CVD）制备方法 [P].

M·L·奥内尔 ;

A·S·鲁卡斯 ;

M·D·比特纳 ;

J·L·文森特 ;

R·N·弗蒂斯 ;

B·K·彼得森 .

中国专利 :CN1507015A ,2004-06-23

[2]

低介电常数材料 [P].

黄心岩 ;

罗清郁 ;

陈海清 ;

包天一 .

中国专利 :CN102437143B ,2012-05-02

[3]

低介电常数材料层的制造方法 [P].

谢宗棠 ;

蔡正原 .

中国专利 :CN1409381A ,2003-04-09

[4]

低介电常数材料刻蚀的方法 [P].

赵林林 .

中国专利 :CN102024697A ,2011-04-20

[5]

低介电常数材料的表面处理方法 [P].

黎丽萍 ;

包天一 ;

章勋明 .

中国专利 :CN1490852A ,2004-04-21

[6]

低介电常数材料薄膜的制造方法 [P].

张鼎张 ;

刘柏村 .

中国专利 :CN1421904A ,2003-06-04

[7]

低介电常数材料的测量方法 [P].

沈千万 .

中国专利 :CN100477144C ,2007-07-04

[8]

多相低介电常数材料层的制造方法 [P].

孙旭辉 ;

夏雨健 .

中国专利 :CN103996654A ,2014-08-20

[9]

形成低介电常数材料的方法及产品 [P].

包天一 ;

柯忠祁 ;

黎丽萍 ;

章勋明 .

中国专利 :CN1204605C ,2003-12-31

[10]

多孔性低介电常数材料的制造方法 [P].

李世达 ;

徐震球 .

中国专利 :CN1157769C ,2003-03-19

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