低介电常数材料以及化学气相沉积（CVD）制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200310120274.6

申请日：

2003-12-12

公开(公告)号：

CN1507015A

公开(公告)日：

2004-06-23

发明(设计)人：

M·L·奥内尔 A·S·鲁卡斯 M·D·比特纳 J·L·文森特 R·N·弗蒂斯 B·K·彼得森

申请人：

申请人地址：

美国宾夕法尼亚州

IPC主分类号：

H01L2131

IPC分类号：

H01L21312

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

周慧敏;段晓玲

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-09-17	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回
2004-09-01	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-06-23	公开	公开

共 50 条

[1]

用于制备低介电常数材料的等离子增强化学气相沉积装置 [P].

孙旭辉 ;

夏雨健 .

中国专利 :CN203774246U ,2014-08-13

[2]

用于制备低介电常数材料的等离子增强化学气相沉积装置 [P].

孙旭辉 ;

夏雨健 .

中国专利 :CN103887139A ,2014-06-25

[3]

低介电常数材料以及通过CVD的加工方法 [P].

M·L·奥内尔 ;

B·K·彼得森 ;

J·L·文森特 ;

R·N·弗蒂斯 .

中国专利 :CN1255573C ,2003-01-08

[4]

在低介电常数电介质上沉积化学气相沉积膜和原子层沉积膜的方法 [P].

志鹏·劳 ;

驰－I·吴 ;

颖·周 ;

格兰特·M·克洛斯特 .

中国专利 :CN1324162C ,2004-08-18

[5]

化学气相沉积成膜用组合物及生产低介电常数膜的方法 [P].

熊田辉彦 ;

信时英治 ;

保田直纪 ;

山本哲也 ;

中谷泰隆 ;

神山卓也 .

中国专利 :CN101310038A ,2008-11-19

[6]

低介电常数材料 [P].

黄心岩 ;

罗清郁 ;

陈海清 ;

包天一 .

中国专利 :CN102437143B ,2012-05-02

[7]

多相低介电常数材料及其沉积方法与应用 [P].

艾尔弗雷德·格里尔 ;

维什纽拜·V·帕特尔 ;

斯蒂芬·M·盖茨 .

中国专利 :CN1257547C ,2003-11-05

[8]

化学气相沉积衬底的制备方法以及化学气相沉积方法 [P].

杨峰 ;

刘羊 ;

曹林 ;

王和风 ;

杨雁培 ;

陈杨 ;

冯锡文 ;

符小弟 ;

尹士平 .

中国专利 :CN119776795B ,2025-11-25

[9]

化学气相沉积衬底的制备方法以及化学气相沉积方法 [P].

杨峰 ;

刘羊 ;

曹林 ;

王和风 ;

杨雁培 ;

陈杨 ;

冯锡文 ;

符小弟 ;

尹士平 .

中国专利 :CN119776795A ,2025-04-08

[10]

形成低介电常数材料的方法及产品 [P].

包天一 ;

柯忠祁 ;

黎丽萍 ;

章勋明 .

中国专利 :CN1204605C ,2003-12-31

← 1 2 3 4 5 →