用于制备低介电常数材料的等离子增强化学气相沉积装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420164948.6

申请日：

2014-04-08

公开(公告)号：

CN203774246U

公开(公告)日：

2014-08-13

发明(设计)人：

孙旭辉夏雨健

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

马明渡;王健

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-13	授权	授权
2022-03-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J 37/32 申请日:20140408 授权公告日:20140813 终止日期:20210408

共 50 条

[1]

用于制备低介电常数材料的等离子增强化学气相沉积装置 [P].

孙旭辉 ;

夏雨健 .

中国专利 :CN103887139A ,2014-06-25

[2]

等离子增强化学气相沉积装置 [P].

郑建毅 ;

杨群峰 ;

庄明凤 ;

郑高峰 ;

马少宇 .

中国专利 :CN103789750B ,2014-05-14

[3]

等离子增强化学气相沉积装置 [P].

郑敬锡 ;

尤沙科夫·安德瑞 ;

朴宣美 ;

郑和俊 ;

金应秀 .

中国专利 :CN100529176C ,2007-03-07

[4]

等离子增强化学气相沉积设备 [P].

T·佩尔瑙 ;

S·H·舒尔茨 .

中国专利 :CN211947211U ,2020-11-17

[5]

低介电常数材料以及化学气相沉积（CVD）制备方法 [P].

M·L·奥内尔 ;

A·S·鲁卡斯 ;

M·D·比特纳 ;

J·L·文森特 ;

R·N·弗蒂斯 ;

B·K·彼得森 .

中国专利 :CN1507015A ,2004-06-23

[6]

等离子体增强化学气相沉积设备 [P].

欧阳亮 .

中国专利 :CN120231033A ,2025-07-01

[7]

一种等离子增强化学气相沉积装置 [P].

左桂松 ;

董晓清 .

中国专利 :CN212640605U ,2021-03-02

[8]

用于等离子增强化学气相沉积处理的处理装置 [P].

J·克什鲍默 .

:CN119213166A ,2024-12-27

[9]

用于真空等离子增强化学气相沉积的液体高温气化装置 [P].

苏宜鹏 ;

冼健威 ;

李南杰 .

中国专利 :CN217499410U ,2022-09-27

[10]

一种等离子增强化学气相沉积装置和沉积方法 [P].

孙文彬 ;

刘龙龙 .

中国专利 :CN114686860B ,2022-07-01

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