化学气相沉积成膜用组合物及生产低介电常数膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680042613.5

申请日：

2006-11-15

公开(公告)号：

CN101310038A

公开(公告)日：

2008-11-19

发明(设计)人：

熊田辉彦信时英治保田直纪山本哲也中谷泰隆神山卓也

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

C23C1638

IPC分类号：

H01L21314 H01L21768 H01L23522

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-05-04	授权	授权
2009-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2017-01-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101695964218 IPC(主分类):C23C 16/38 专利号:ZL2006800426135 申请日:20061115 授权公告日:20110504 终止日期:20151115
2008-11-19	公开	公开

共 50 条

[1]

在低介电常数电介质上沉积化学气相沉积膜和原子层沉积膜的方法 [P].

志鹏·劳 ;

驰－I·吴 ;

颖·周 ;

格兰特·M·克洛斯特 .

中国专利 :CN1324162C ,2004-08-18

[2]

沉积低介电常数膜的方法 [P].

弗雷德里克·加伊拉德 ;

斯里尼瓦斯·D·内马尼 .

中国专利 :CN1698188B ,2005-11-16

[3]

化学气相沉积法用成膜助剂、化学气相沉积法用涂布液、金属氧化物膜及金属氧化物膜的成膜方法 [P].

佐藤享平 ;

藤村俊伸 ;

中里克己 ;

饭塚宗明 .

日本专利 :CN119677894A ,2025-03-21

[4]

低介电常数材料以及化学气相沉积（CVD）制备方法 [P].

M·L·奥内尔 ;

A·S·鲁卡斯 ;

M·D·比特纳 ;

J·L·文森特 ;

R·N·弗蒂斯 ;

B·K·彼得森 .

中国专利 :CN1507015A ,2004-06-23

[5]

硅基组合物、低介电常数膜、半导体器件以及制造低介电常数膜的方法 [P].

中田义弘 ;

铃木克己 ;

杉浦严 ;

矢野映 .

中国专利 :CN1376740A ,2002-10-30

[6]

化学气相沉积设备及成膜方法 [P].

谢锐 .

中国专利 :CN107779845A ,2018-03-09

[7]

化学气相沉积设备及成膜方法 [P].

邢升阳 .

中国专利 :CN107937886A ,2018-04-20

[8]

用于化学气相沉积的材料、膜生产方法和膜 [P].

上村直 ;

J·格里尔 ;

克里斯均·杜萨拉特 .

法国专利 :CN119234053A ,2024-12-31

[9]

低介电常数层间绝缘膜及低介电常数层间绝缘膜的成膜方法 [P].

清水秀治 ;

永野修次 ;

大桥芳 ;

加田武史 ;

菅原久胜 .

中国专利 :CN102906865A ,2013-01-30

[10]

一种沉积低介电常数膜层的方法 [P].

任康树 ;

亚历山德罗斯·T·迪莫斯 .

中国专利 :CN102113099B ,2011-06-29

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