浅沟槽隔离方法

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专利类型
发明
申请号
CN201310263816.9
申请日
2013-06-26
公开(公告)号
CN104253080A
公开(公告)日
2014-12-31
发明(设计)人
谭宇琦
申请人
申请人地址
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
IPC主分类号
H01L21762
IPC分类号
代理机构
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
邓云鹏
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种浅沟槽隔离结构的制作方法和浅沟槽隔离结构 [P]. 
邓浩 ;
向阳辉 ;
张彬 .
中国专利 :CN103594412A ,2014-02-19
[2]
浅沟槽隔离 [P]. 
李霞 ;
金明初 .
中国专利 :CN102113111A ,2011-06-29
[3]
形成浅沟槽隔离区的方法 [P]. 
夏雁宾 ;
杨玲 ;
张飞 .
中国专利 :CN103681448A ,2014-03-26
[4]
浅沟槽隔离结构的制造方法 [P]. 
韩秋华 ;
杜珊珊 ;
黄怡 ;
赵林林 .
中国专利 :CN101770974A ,2010-07-07
[5]
浅沟槽隔离结构 [P]. 
宛伟 .
中国专利 :CN208706616U ,2019-04-05
[6]
浅沟槽隔离结构制备方法 [P]. 
江润峰 .
中国专利 :CN103531522A ,2014-01-22
[7]
浅沟槽隔离的制备方法 [P]. 
桑宁波 ;
雷通 ;
贺忻 ;
方精训 .
中国专利 :CN104051321A ,2014-09-17
[8]
一种减少浅沟槽隔离缺陷的方法 [P]. 
徐强 ;
张文广 ;
陈玉文 ;
郑春生 .
中国专利 :CN102610551A ,2012-07-25
[9]
浅沟槽隔离制造方法 [P]. 
唐兆云 ;
闫江 ;
杨涛 ;
王桂磊 .
中国专利 :CN103633008B ,2014-03-12
[10]
制造浅沟槽隔离的方法以及使用浅沟槽隔离的半导体结构 [P]. 
颜君旭 ;
黄邦育 ;
彭垂亚 ;
陈静雯 .
中国专利 :CN105931982B ,2016-09-07