测试芯片制造过程中电荷累积的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510695080.1

申请日：

2015-10-22

公开(公告)号：

CN105280515A

公开(公告)日：

2016-01-27

发明(设计)人：

孙访策李志国欧少敏杨勇管宝辉

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2166

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-27	公开	公开
2019-02-01	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/66 申请公布日:20160127
2016-02-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101647688166 IPC(主分类):H01L 21/66 专利申请号:2015106950801 申请日:20151022

共 50 条

[1]

用于光学擦除在制造集成电路过程中累积的电荷的过程 [P].

A·亚诺斯 ;

I·贝里 ;

A·辛诺特 ;

K·斯图尔特 .

中国专利 :CN1596467A ,2005-03-16

[2]

屏幕电荷累积测试装置及方法 [P].

刘嘉巍 .

中国专利 :CN113311253B ,2021-08-27

[3]

一种去除MEMS芯片静电荷累积的方法 [P].

周宁 ;

喻磊 ;

赵井宇 ;

朱丽 .

中国专利 :CN115676772A ,2023-02-03

[4]

一种去除MEMS芯片静电荷累积的方法 [P].

周宁 ;

喻磊 ;

赵井宇 ;

朱丽 .

中国专利 :CN115676772B ,2025-06-06

[5]

减少在离子注入工艺中累积于芯片表面的正电荷的方法 [P].

施惠绅 ;

黄宽益 .

中国专利 :CN1949462A ,2007-04-18

[6]

深沟槽器件制造过程中氮化硅的去除方法 [P].

陈东强 ;

黄志刚 ;

寿晓懂 ;

陈威 ;

梁海慧 ;

蔡亮 .

中国专利 :CN103137466A ,2013-06-05

[7]

建模过程中的特征芯片选择方法以及器件模型建立方法 [P].

钱仕兵 .

中国专利 :CN111859844A ,2020-10-30

[8]

制造和测试芯片封装的方法 [P].

G.比尔 ;

P.奥西米茨 ;

M.冯达克 .

中国专利 :CN103943526A ,2014-07-23

[9]

海底电缆直流耐压试验电荷累积消散系统及测试方法 [P].

邓军 .

中国专利 :CN107271871A ,2017-10-20

[10]

一种在重新粘合过程中防止待测芯片损伤的方法 [P].

韩耀梅 ;

陈险峰 .

中国专利 :CN102403242A ,2012-04-04

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