半导体光元件、半导体光元件形成用构造体以及使用其的半导体光元件的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201980005447.9
申请日
2019-02-22
公开(公告)号
CN111316515B
公开(公告)日
2020-06-19
发明(设计)人
诸桥伦大郎 能川亮三郎 厚井大明 山田由美
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01S5343
IPC分类号
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
周宏志;卢英日
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体光元件以及半导体光元件的制造方法 [P]. 
平谷拓生 ;
菊地健彦 ;
井上尚子 .
日本专利 :CN120447136A ,2025-08-08
[2]
半导体光元件以及半导体光元件的制造方法 [P]. 
平谷拓生 .
日本专利 :CN120195806A ,2025-06-24
[3]
半导体光元件以及半导体光元件的制造方法 [P]. 
平谷拓生 .
日本专利 :CN120447137A ,2025-08-08
[4]
半导体光元件、以及半导体光元件的制造方法 [P]. 
田中肇 .
日本专利 :CN119575704A ,2025-03-07
[5]
半导体光元件、以及半导体光元件的制造方法 [P]. 
藤原直树 .
日本专利 :CN120722499A ,2025-09-30
[6]
半导体受光元件以及半导体受光元件的制造方法 [P]. 
山口晴央 ;
宫崎泰典 .
日本专利 :CN120958981A ,2025-11-14
[7]
半导体光元件、集成型半导体光元件、以及半导体光元件模块 [P]. 
清田和明 .
中国专利 :CN104081598A ,2014-10-01
[8]
光半导体元件以及光半导体元件的制造方法 [P]. 
泽井敬一 ;
吾乡富士夫 ;
渡边裕二 ;
川上克二 .
中国专利 :CN102856458A ,2013-01-02
[9]
光半导体元件以及光半导体元件的制造方法 [P]. 
松岛贤史郎 ;
平岩浩二 ;
清田和明 ;
今村明博 .
日本专利 :CN118648207A ,2024-09-13
[10]
半导体受光元件以及半导体受光元件制造方法 [P]. 
竹村亮太 ;
菊地真人武 .
日本专利 :CN113632243B ,2025-03-04