一种高亮度倒装紫外LED芯片制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201410497803.2
申请日
2014-09-25
公开(公告)号
CN104241511A
公开(公告)日
2014-12-24
发明(设计)人
宁磊
申请人
申请人地址
710100 陕西省西安市航天基地东长安街888号
IPC主分类号
H01L3360
IPC分类号
H01L3348 H01L3300
代理机构
西安智邦专利商标代理有限公司 61211
代理人
胡乐
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种高亮度倒装LED [P]. 
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饶德望 ;
李义园 ;
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[2]
一种高亮度倒装LED [P]. 
左明鹏 ;
饶德望 ;
李义园 ;
张明武 .
中国专利 :CN213583843U ,2021-06-29
[3]
高亮度LED芯片 [P]. 
伍永安 ;
高绍兵 .
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[4]
一种高亮度LED芯片及其制备方法 [P]. 
范凯平 ;
卢淑欣 ;
陈慧秋 ;
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[5]
一种高亮度的倒装RGB LED芯片 [P]. 
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王科 ;
张红贵 ;
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李泉涌 .
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[6]
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[7]
制作高亮度LED芯片的方法 [P]. 
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[8]
一种LED高亮度倒装芯片以及制作方法 [P]. 
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[9]
一种高亮度LED芯片 [P]. 
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[10]
一种高亮度LED芯片 [P]. 
蔡成凤 ;
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方文发 ;
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