一种石蕊作为忆阻器件介电层的应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810852173.4

申请日：

2018-07-30

公开(公告)号：

CN109244235A

公开(公告)日：

2019-01-18

发明(设计)人：

陈元正朱守辉吕旖旎毛双锁孙柏夏钰东赵勇

申请人：

申请人地址：

610031 四川省成都市二环路北一段111号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

葛启函

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-02-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20180730
2019-01-18	公开	公开

共 50 条

[1]

一种使用MXenes纳米材料作为介电层的忆阻器件制备方法 [P].

孙柏 ;

李小霞 ;

付国强 ;

夏玉东 ;

赵勇 .

中国专利 :CN110190184A ,2019-08-30

[2]

一种忆阻器件的制备方法 [P].

孙柏 ;

朱守辉 ;

毛双锁 ;

郑良 ;

夏钰东 ;

赵勇 .

中国专利 :CN108666418A ,2018-10-16

[3]

一种毛发在制备忆阻器中的应用 [P].

孙柏 ;

郭柏林 ;

付国强 ;

李冰 ;

陈元正 ;

赵勇 .

中国专利 :CN109599488A ,2019-04-09

[4]

一种基于铁电材料的忆阻器件及其制备方法和应用 [P].

陈子洋 ;

秦琦 ;

张缪城 ;

陈星宇 ;

韩翱泽 ;

童祎 .

中国专利 :CN114400283B ,2025-11-25

[5]

一种基于螺旋状GO掺杂的铁酸铋忆阻器件制备方法 [P].

孙柏 ;

李小霞 ;

李红林 ;

曾雨双 ;

付国强 ;

夏玉东 ;

孟凡彬 .

中国专利 :CN111785833A ,2020-10-16

[6]

一种忆阻器的制备方法、忆阻器及存储器件 [P].

杨紫薇 ;

李文杰 ;

谢芳梅 ;

李诚 ;

刘奥星 ;

童佩斐 ;

李国啸 ;

陈志勇 ;

陆子恒 ;

杨春雷 .

中国专利 :CN112289931A ,2021-01-29

[7]

一种忆阻器件的阻纳变温测试方法 [P].

王德君 ;

白娇 ;

秦福文 ;

李月 ;

谢威威 .

中国专利 :CN117907714A ,2024-04-19

[8]

一种In2S3薄膜的忆阻器件及其应用 [P].

招瑜 ;

余代者 ;

魏爱香 ;

刘俊 ;

肖志明 ;

余大清 .

中国专利 :CN111883655A ,2020-11-03

[9]

一种基于PZT的忆阻器件、其制备方法及其应用 [P].

张缪城 ;

秦琦 ;

童祎 ;

孟宇泰 ;

王伊婕 .

中国专利 :CN112018236A ,2020-12-01

[10]

一种基于铁磁材料的忆阻器件 [P].

游龙 ;

张帅 ;

李若凡 ;

洪正敏 .

中国专利 :CN108336222A ,2018-07-27

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