检测首层金属刻蚀不足缺陷的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610766179.0

申请日：

2016-08-30

公开(公告)号：

CN106206354A

公开(公告)日：

2016-12-07

发明(设计)人：

范荣伟陈宏璘龙吟顾晓芳

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L2166

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

智云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101695173967 IPC(主分类):H01L 21/66 专利申请号:2016107661790 申请日:20160830
2020-08-28	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/66 申请公布日:20161207
2016-12-07	公开	公开

共 50 条

[1]

一种检测连接栅极的首层金属块刻蚀不足缺陷的方法 [P].

范荣伟 ;

陈宏璘 ;

龙吟 ;

顾晓芳 .

中国专利 :CN106298572A ,2017-01-04

[2]

铜连接孔刻蚀不足缺陷在线检测方法 [P].

范荣伟 ;

袁增艺 ;

龙吟 ;

倪棋梁 ;

陈宏璘 .

中国专利 :CN103811369A ,2014-05-21

[3]

通过刻蚀不足缺陷检测多晶硅与连接孔对准度的方法 [P].

范荣伟 ;

陈宏璘 ;

龙吟 ;

顾晓芳 ;

倪棋梁 .

中国专利 :CN104134619B ,2014-11-05

[4]

采用离子击穿检测多晶硅底部刻蚀不足缺陷的方法 [P].

范荣伟 ;

倪棋梁 ;

龙吟 ;

陈宏璘 .

中国专利 :CN103887195B ,2014-06-25

[5]

检测金属层过刻蚀缺陷的方法和测试结构 [P].

曹秋凤 ;

宋箭叶 .

中国专利 :CN120413456A ,2025-08-01

[6]

一种通孔刻蚀不足的检测方法 [P].

范荣伟 ;

陈宏璘 ;

龙吟 ;

顾晓芳 .

中国专利 :CN104078379B ,2014-10-01

[7]

一种通孔刻蚀不足的检测方法 [P].

范荣伟 ;

陈宏璘 ;

龙吟 ;

顾晓芳 ;

倪棋梁 .

中国专利 :CN104091769A ,2014-10-08

[8]

共享接触孔及其刻蚀缺陷检测方法 [P].

潘逢佳 ;

王恺 .

中国专利 :CN110854092A ,2020-02-28

[9]

共享接触孔及其刻蚀缺陷检测方法 [P].

徐晶 ;

肖尚刚 ;

周波 .

中国专利 :CN110879344A ,2020-03-13

[10]

高深宽比沟槽刻蚀残留缺陷的检测方法 [P].

范荣伟 ;

龙吟 ;

陈宏璘 ;

倪棋梁 ;

顾晓芳 .

中国专利 :CN104217974A ,2014-12-17

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