一种检测连接栅极的首层金属块刻蚀不足缺陷的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610804779.1

申请日：

2016-09-06

公开(公告)号：

CN106298572A

公开(公告)日：

2017-01-04

发明(设计)人：

范荣伟陈宏璘龙吟顾晓芳

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L2166

IPC分类号：

代理机构：

上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275

代理人：

吴世华;陈慧弘

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-01-04	公开	公开
2017-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101700841804 IPC(主分类):H01L 21/66 专利申请号:2016108047791 申请日:20160906
2019-12-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/66 申请公布日:20170104

共 50 条

[1]

检测首层金属刻蚀不足缺陷的方法 [P].

范荣伟 ;

陈宏璘 ;

龙吟 ;

顾晓芳 .

中国专利 :CN106206354A ,2016-12-07

[2]

通过刻蚀不足缺陷检测多晶硅与连接孔对准度的方法 [P].

范荣伟 ;

陈宏璘 ;

龙吟 ;

顾晓芳 ;

倪棋梁 .

中国专利 :CN104134619B ,2014-11-05

[3]

铜连接孔刻蚀不足缺陷在线检测方法 [P].

范荣伟 ;

袁增艺 ;

龙吟 ;

倪棋梁 ;

陈宏璘 .

中国专利 :CN103811369A ,2014-05-21

[4]

一种检测多晶硅栅极刻蚀能力的方法 [P].

倪棋梁 ;

陈宏璘 ;

龙吟 .

中国专利 :CN106449456A ,2017-02-22

[5]

堆栈金属栅极的刻蚀方法 [P].

熊磊 ;

奚裴 .

中国专利 :CN102315112A ,2012-01-11

[6]

采用电容测试结构检测多晶硅栅极刻蚀缺陷的方法 [P].

范荣伟 ;

顾晓芳 ;

龙吟 ;

倪棋梁 ;

陈宏璘 .

中国专利 :CN103943527B ,2014-07-23

[7]

采用离子击穿检测多晶硅底部刻蚀不足缺陷的方法 [P].

范荣伟 ;

倪棋梁 ;

龙吟 ;

陈宏璘 .

中国专利 :CN103887195B ,2014-06-25

[8]

一种通孔刻蚀不足的检测方法 [P].

范荣伟 ;

陈宏璘 ;

龙吟 ;

顾晓芳 .

中国专利 :CN104078379B ,2014-10-01

[9]

一种通孔刻蚀不足的检测方法 [P].

范荣伟 ;

陈宏璘 ;

龙吟 ;

顾晓芳 ;

倪棋梁 .

中国专利 :CN104091769A ,2014-10-08

[10]

采用电压衬度测试结构检测多晶硅栅极刻蚀缺陷的方法 [P].

范荣伟 ;

王恺 ;

龙吟 ;

倪棋梁 ;

陈宏璘 .

中国专利 :CN103871922A ,2014-06-18

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