基于二维半导体沟道的双铁电栅晶体管

被引：0

申请号：

CN202210091286.3

申请日：

2022-01-26

公开(公告)号：

CN114464681A

公开(公告)日：

2022-05-10

发明(设计)人：

刘艳罗拯东杨麒玉檀东昕韩根全郝跃

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2134

代理机构：

西安文盛专利代理有限公司 61100

代理人：

佘文英

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20220126
2022-05-10	公开	公开

共 50 条

[1]

基于二维半导体的固态源掺杂方法及二维半导体晶体管 [P].

姜建峰 ;

邱晨光 ;

彭练矛 .

中国专利 :CN115911105B ,2024-08-02

[2]

基于二维半导体材料的双极性晶体管的制备方法 [P].

周鹏 ;

刘春森 ;

张卫 .

中国专利 :CN107611034A ,2018-01-19

[3]

一种二维环栅晶体管的制备方法、二维环栅晶体管及芯片 [P].

彭海琳 ;

谭聪伟 ;

唐浚川 .

中国专利 :CN120035160A ,2025-05-23

[4]

一种基于二维半导体材料的垂直环栅晶体管与制备方法 [P].

张跃 ;

曾浩然 ;

张铮 ;

张先坤 ;

于慧慧 ;

陈超 .

中国专利 :CN120050973A ,2025-05-27

[5]

一种二维半导体晶体管结构 [P].

包文中 ;

马静怡 ;

郭晓娇 ;

童领 ;

陈新宇 ;

缑赛飞 ;

周鹏 ;

张卫 .

中国专利 :CN214012946U ,2021-08-20

[6]

自对准二维半导体轻掺杂漏制备方法及二维半导体晶体管 [P].

姜建峰 ;

邱晨光 ;

彭练矛 .

中国专利 :CN116314287B ,2024-06-18

[7]

一种基于二维半导体材料薄膜晶体管 [P].

袁地 ;

张静 ;

耿会娟 ;

田俊龙 ;

李胜楠 .

中国专利 :CN217114401U ,2022-08-02

[8]

一种基于二维半导体材料薄膜晶体管 [P].

赵天石 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 ;

于水长 .

中国专利 :CN209747517U ,2019-12-06

[9]

一种基于二维半导体的浮栅晶体管及其制备方法 [P].

李春 ;

孔令康 ;

兰长勇 ;

尹伊 .

中国专利 :CN119050160A ,2024-11-29

[10]

包括垂直沟道晶体管的半导体装置 [P].

郑文泳 .

韩国专利 :CN120512887A ,2025-08-19

← 1 2 3 4 5 →