半导体装置和制造半导体设备的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01133188.7

申请日：

1995-11-22

公开(公告)号：

CN1197137C

公开(公告)日：

2002-09-11

发明(设计)人：

大沢健治

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2148

IPC分类号：

H01L2160 H05K116 H05K346

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

范本国

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-06-12	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-04-13	授权	授权
2002-09-11	公开	公开
2007-01-17	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-12-04	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体设备、半导体电路及制造半导体设备的方法 [P].

中野隆 ;

远矢弘和 .

中国专利 :CN1659716B ,2005-08-24

[2]

半导体设备和制造半导体设备的方法 [P].

高野大树郎 .

中国专利 :CN1722948A ,2006-01-18

[3]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

山口正臣 .

中国专利 :CN100352017C ,2005-10-05

[4]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

岩谷将伸 ;

木下明将 ;

原田信介 ;

田中保宣 .

中国专利 :CN108028282A ,2018-05-11

[5]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

江间泰示 ;

水谷和宏 .

中国专利 :CN101479843B ,2009-07-08

[6]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

吉原晋二 ;

浅海一志 ;

北村康宏 ;

大原淳士 .

中国专利 :CN102222622A ,2011-10-19

[7]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

矶部敦生 ;

山崎舜平 ;

小久保千穗 ;

田中幸一郎 ;

下村明久 ;

荒尾达也 ;

宫入秀和 .

中国专利 :CN101110437B ,2008-01-23

[8]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

安松拓人 .

中国专利 :CN101346810A ,2009-01-14

[9]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

有金刚 ;

久本大 .

中国专利 :CN106486488A ,2017-03-08

[10]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

三原竜善 .

中国专利 :CN108231561A ,2018-06-29

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