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半导体装置的制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201610620771.X
申请日
:
2016-08-01
公开(公告)号
:
CN107680938A
公开(公告)日
:
2018-02-09
发明(设计)人
:
李勇
徐建华
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
:
H01L218234
IPC分类号
:
代理机构
:
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人
:
刘倜
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-05-28
授权
授权
2018-02-09
公开
公开
2018-03-09
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20160801
共 50 条
[1]
半导体装置的制造方法
[P].
王楠
论文数:
0
引用数:
0
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0
王楠
;
潘梓诚
论文数:
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潘梓诚
;
洪中山
论文数:
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0
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洪中山
.
中国专利
:CN109148290A
,2019-01-04
[2]
半导体装置和制造半导体装置的方法
[P].
史蒂文·托马斯·皮克
论文数:
0
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0
史蒂文·托马斯·皮克
;
菲利浦·拉特
论文数:
0
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0
菲利浦·拉特
;
克里斯·罗杰斯
论文数:
0
引用数:
0
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0
克里斯·罗杰斯
.
中国专利
:CN106531808B
,2017-03-22
[3]
半导体装置及其制造方法
[P].
杨佳琦
论文数:
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0
杨佳琦
;
赵杰
论文数:
0
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0
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赵杰
.
中国专利
:CN108630519A
,2018-10-09
[4]
半导体装置及其制造方法
[P].
杨佳琦
论文数:
0
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0
杨佳琦
;
赵杰
论文数:
0
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0
赵杰
.
中国专利
:CN108630541A
,2018-10-09
[5]
半导体装置及其制造方法
[P].
周飞
论文数:
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周飞
.
中国专利
:CN107452792A
,2017-12-08
[6]
半导体装置及其制造方法
[P].
神兆旭
论文数:
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神兆旭
;
卑多慧
论文数:
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0
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卑多慧
.
中国专利
:CN108695321A
,2018-10-23
[7]
半导体装置的制造方法
[P].
李勇
论文数:
0
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李勇
.
中国专利
:CN108022874B
,2018-05-11
[8]
制造半导体装置的方法和半导体装置
[P].
金永仁
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金永仁
;
权炳昊
论文数:
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
权炳昊
;
金睿一
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0
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金睿一
;
朴钟爀
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
朴钟爀
;
裴珍宇
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
裴珍宇
;
宋景浚
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
宋景浚
;
蒋明在
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
蒋明在
;
周炳秀
论文数:
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
周炳秀
.
中国专利
:CN118742027A
,2024-10-01
[9]
半导体装置及其制造方法
[P].
邓浩
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邓浩
;
徐建华
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0
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徐建华
;
周峰
论文数:
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0
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周峰
;
杨小军
论文数:
0
引用数:
0
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杨小军
.
中国专利
:CN108630604A
,2018-10-09
[10]
半导体装置及其制造方法
[P].
张海洋
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张海洋
;
纪世良
论文数:
0
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纪世良
.
中国专利
:CN109904112B
,2019-06-18
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