具有四方环状结构反射层氮化镓基发光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210353409.2

申请日：

2012-09-20

公开(公告)号：

CN102832309A

公开(公告)日：

2012-12-19

发明(设计)人：

虞浩辉周宇杭

申请人：

申请人地址：

213342 江苏省常州市溧阳市社渚镇创新路8号

IPC主分类号：

H01L3322

IPC分类号：

H01L3310

代理机构：

南京天翼专利代理有限责任公司 32112

代理人：

黄明哲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-02-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101391743055 IPC(主分类):H01L 33/22 专利申请号:2012103534092 申请日:20120920
2012-12-19	公开	公开
2017-11-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/22 申请日:20120920 授权公告日:20160120 终止日期:20160920
2016-01-20	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化镓基发光二极管 [P].

虞浩辉 ;

周宇杭 .

中国专利 :CN102856457B ,2013-01-02

[2]

具有四方环状结构反射层的发光二极管的制造方法 [P].

虞浩辉 ;

周宇杭 .

中国专利 :CN102983231B ,2013-03-20

[3]

氮化镓基发光二极管的制造方法 [P].

虞浩辉 ;

周宇杭 .

中国专利 :CN102983233B ,2013-03-20

[4]

一种具有双反射层的氮化镓基发光二极管 [P].

郑建森 ;

林素慧 ;

彭康伟 ;

洪灵愿 ;

何安和 .

中国专利 :CN102709421A ,2012-10-03

[5]

氮化镓基发光二极管 [P].

邓小强 ;

张建宝 .

中国专利 :CN203367342U ,2013-12-25

[6]

具有电流扩展结构的氮化镓基发光二极管 [P].

尹灵峰 ;

林素慧 ;

郑建森 ;

刘传桂 ;

欧毅德 ;

陈功 .

中国专利 :CN102881797B ,2013-01-16

[7]

氮化镓基发光二极管 [P].

潘群峰 ;

吴志强 ;

林科闯 .

中国专利 :CN101494266A ,2009-07-29

[8]

氮化镓基发光二极管 [P].

陈秉扬 ;

张中英 ;

赖昭序 ;

曾建尧 ;

张洁 ;

朱学亮 ;

刘信佑 ;

卢德恩 ;

刘建明 .

中国专利 :CN106784206A ,2017-05-31

[9]

氮化镓基发光二极管的制作方法及氮化镓基发光二极管 [P].

王强 ;

王磊 ;

李国琪 ;

涂招莲 ;

巩春梅 .

中国专利 :CN104425662A ,2015-03-18

[10]

具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法 [P].

林素慧 ;

何安和 ;

彭康伟 ;

林科闯 ;

郑建森 .

中国专利 :CN101859861A ,2010-10-13

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