具有四方环状结构反射层的发光二极管的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210434769.5

申请日：

2012-11-05

公开(公告)号：

CN102983231B

公开(公告)日：

2013-03-20

发明(设计)人：

虞浩辉周宇杭

申请人：

申请人地址：

213342 江苏省常州市溧阳市社渚镇创新路8号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3322 H01L3310

代理机构：

南京天翼专利代理有限责任公司 32112

代理人：

黄明哲

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-09	授权	授权
2013-04-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101438517862 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2012104347695 申请日:20121105
2017-12-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20121105 授权公告日:20151209 终止日期:20161105
2013-03-20	公开	公开

共 50 条

[1]

具有四方环状结构反射层氮化镓基发光二极管 [P].

虞浩辉 ;

周宇杭 .

中国专利 :CN102832309A ,2012-12-19

[2]

发光二极管的反射层 [P].

迈克尔·切克 ;

凯文·哈布雷恩 .

中国专利 :CN111788702A ,2020-10-16

[3]

发光二极管的反射层 [P].

迈克尔·切克 ;

凯文·哈布雷恩 .

美国专利 :CN111788702B ,2024-09-24

[4]

具有侧面反射层的发光二极管 [P].

张锺敏 ;

金彰渊 ;

林栽熙 .

中国专利 :CN111525008A ,2020-08-11

[5]

具有侧面反射层的发光二极管 [P].

张锺敏 ;

金彰渊 ;

林栽熙 .

中国专利 :CN207637833U ,2018-07-20

[6]

具有侧面反射层的发光二极管 [P].

张锺敏 ;

金彰渊 ;

林栽熙 .

中国专利 :CN111525007A ,2020-08-11

[7]

具有侧面反射层的发光二极管 [P].

张锺敏 ;

金彰渊 ;

林栽熙 .

中国专利 :CN108461595B ,2018-08-28

[8]

具有侧面反射层的发光二极管 [P].

张锺敏 ;

金彰渊 ;

金材宪 ;

林栽熙 .

中国专利 :CN207529966U ,2018-06-22

[9]

具有金属反射层的发光二极管封装及其制造方法 [P].

朴正圭 ;

李善九 ;

韩庚泽 ;

韩盛渊 .

中国专利 :CN1885580A ,2006-12-27

[10]

氮化镓基发光二极管的制造方法 [P].

虞浩辉 ;

周宇杭 .

中国专利 :CN102983233B ,2013-03-20

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