沉积金属和金属氧化物膜以及图案薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01808682.9

申请日：

2001-04-27

公开(公告)号：

CN1439060A

公开(公告)日：

2003-08-27

发明(设计)人：

R·H·希尔石有茂

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

C23C1814

IPC分类号：

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

沙捷

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-08-16	授权	授权
2003-11-12	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-03-08	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更事项:申请人变更前权利人:EKC技术公司变更后权利人:西蒙弗雷泽大学变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚州变更后权利人:加拿大大不列颠哥伦比亚省登记生效日:20060210
2011-07-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101083297017 IPC(主分类):C23C 18/14 专利号:ZL018086829 申请日:20010427 授权公告日:20060816 终止日期:20100427
2003-08-27	公开	公开

共 50 条

[1]

用于沉积金属氧化物膜的方法 [P].

卡洛·塔利亚尼 ;

彼得·诺扎尔 .

中国专利 :CN101970709A ,2011-02-09

[2]

金属氧化物薄膜，沉积金属氧化物薄膜的方法及包含金属氧化物薄膜的装置 [P].

一杉太郎 .

中国专利 :CN107074662B ,2017-08-18

[3]

金属氧化物膜、半导体装置及金属氧化物膜的评价方法 [P].

生内俊光 ;

保坂泰靖 ;

冈崎健一 ;

高桥正弘 ;

中山智则 ;

金川朋贤 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN113423857A ,2021-09-21

[4]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN105779940A ,2016-07-20

[5]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN105734493B ,2016-07-06

[6]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN105870196A ,2016-08-17

[7]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN104769150A ,2015-07-08

[8]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

日本专利 :CN109065553B ,2025-07-01

[9]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN109065553A ,2018-12-21

[10]

金属氧化物膜的制造方法及金属氧化物膜、使用该金属氧化物膜的元件、带有金属氧化物膜的基板以及使用该基板的器件 [P].

行延雅也 ;

村山勇树 ;

永野崇仁 ;

大塚良广 .

中国专利 :CN102933496A ,2013-02-13

← 1 2 3 4 5 →