一种具有低热阻的半导体器件封装结构及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910146013.2
申请日
2019-02-27
公开(公告)号
CN109727943A
公开(公告)日
2019-05-07
发明(设计)人
朱袁正 杨卓 朱久桃 叶鹏
申请人
申请人地址
214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号(与华清路交叉口)无锡(滨湖)国家信息传感中心-B1楼东侧2楼
IPC主分类号
H01L23495
IPC分类号
H01L2152 H01L2160
代理机构
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104
代理人
曹祖良
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[21]
一种半导体封装结构及半导体器件 [P]. 
沈丽娟 .
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[22]
一种具有改进型封装结构的半导体器件及其制造方法 [P]. 
朱袁正 ;
叶鹏 ;
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[23]
半导体器件和封装及其制造方法 [P]. 
白坂健一 ;
齐藤博 .
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管安琪 ;
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中国专利 :CN111463184B ,2025-10-03
[25]
一种功率半导体器件低热阻封装结构及其制作方法 [P]. 
马明驼 ;
管安琪 ;
鲜明 .
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[26]
半导体封装结构的制造方法、半导体结构的制造方法以及半导体器件 [P]. 
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[27]
半导体封装结构及其制造方法 [P]. 
史玉芬 ;
位亮亮 ;
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[28]
半导体封装结构及其制造方法 [P]. 
史玉芬 ;
位亮亮 ;
黄涛 ;
姚大平 .
中国专利 :CN117542817A ,2024-02-09
[29]
半导体封装结构及其制造方法 [P]. 
赵良 ;
陈松 .
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[30]
半导体器件、封装结构及封装结构的制备方法 [P]. 
张志伟 .
中国专利 :CN112908969A ,2021-06-04