一种具有低热阻的半导体器件封装结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910146013.2

申请日：

2019-02-27

公开(公告)号：

CN109727943A

公开(公告)日：

2019-05-07

发明(设计)人：

朱袁正杨卓朱久桃叶鹏

申请人：

申请人地址：

214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼

IPC主分类号：

H01L23495

IPC分类号：

H01L2152 H01L2160

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/495 申请日:20190227
2019-05-07	公开	公开

共 50 条

[41]

一种半导体器件堆封装结构 [P].

潘颖彬 ;

潘寅虎 .

中国专利 :CN212380423U ,2021-01-19

[42]

半导体器件封装结构及其制造方法 [P].

陈鹏 ;

赵珊珊 .

中国专利 :CN113629021A ,2021-11-09

[43]

半导体器件、叠层结构及半导体封装方法 [P].

高滢滢 ;

张超 ;

庞宏林 ;

张成 .

中国专利 :CN118888536A ,2024-11-01

[44]

一种半导体器件封装装置及封装方法 [P].

郑海菊 .

中国专利 :CN120388914A ,2025-07-29

[45]

半导体器件、半导体封装及制造半导体器件的方法 [P].

崔朱逸 ;

文光辰 ;

徐柱斌 ;

林东灿 ;

藤崎纯史 ;

李镐珍 .

中国专利 :CN109300871A ,2019-02-01

[46]

半导体器件、半导体封装和制造半导体器件的方法 [P].

安宰镛 ;

杨周宪 ;

尹矫植 .

韩国专利 :CN120341211A ,2025-07-18

[47]

提升压接型功率半导体器件短路耐受能力的封装结构及其制造方法 [P].

李辉 ;

余越 ;

姚然 ;

赖伟 ;

朱哲研 ;

周柏灵 ;

刘人宽 ;

段泽宇 ;

陈思宇 ;

向学位 .

中国专利 :CN115172299B ,2025-03-18

[48]

半导体封装件及其制造方法 [P].

李允万 ;

裴庆徹 ;

严泰信 ;

李东桓 ;

李映均 ;

李殷祯 .

中国专利 :CN108140635A ,2018-06-08

[49]

一种半导体封装结构及其半导体器件 [P].

阚云辉 ;

杨霞 ;

戴晓东 .

中国专利 :CN215008203U ,2021-12-03

[50]

半导体器件层叠封装件、半导体器件封装件及其制造方法 [P].

洪民基 ;

李镕官 .

中国专利 :CN110534506A ,2019-12-03

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