原子层沉积薄膜的针孔缺陷的检测方法

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专利类型
发明
申请号
CN202010349287.4
申请日
2020-04-28
公开(公告)号
CN111524824A
公开(公告)日
2020-08-11
发明(设计)人
陈勇跃
申请人
申请人地址
201315 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号
H01L2166
IPC分类号
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
郭四华
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种原子层氧化物沉积针孔缺陷检测方法 [P]. 
范荣伟 .
中国专利 :CN107331633A ,2017-11-07
[2]
原子层沉积设备及原子层沉积薄膜的制备方法 [P]. 
陈蓉 ;
曹坤 ;
严谨 ;
单斌 ;
李易诚 ;
胡嘉成 .
中国专利 :CN115198252B ,2024-04-23
[3]
金属薄膜的原子层沉积方法 [P]. 
水谷文一 ;
东慎太郎 ;
竹泽直幸 .
中国专利 :CN110945157A ,2020-03-31
[4]
改善原子层沉积氮化硅薄膜缺陷的方法 [P]. 
姚建裕 .
中国专利 :CN120888896A ,2025-11-04
[5]
薄膜原子层沉积方法 [P]. 
田正豪 ;
李丹 ;
张渊明 ;
秦芳 .
中国专利 :CN120505605A ,2025-08-19
[6]
利用原子层沉积制备薄膜的方法 [P]. 
解婧 ;
李超波 ;
夏洋 .
中国专利 :CN103866285B ,2014-06-18
[7]
利用原子层沉积制备薄膜的方法 [P]. 
金荣宽 ;
李相忍 ;
朴昌洙 ;
李相旼 .
中国专利 :CN1200135C ,2000-02-16
[8]
利用原子层沉积法形成薄膜的方法 [P]. 
金荣宽 ;
朴泳旭 ;
林载顺 ;
崔城济 ;
李相忍 .
中国专利 :CN1234909C ,2001-04-25
[9]
原子层沉积技术制备薄膜的实现方法 [P]. 
李春雷 ;
李东旗 ;
何金正 .
中国专利 :CN105568256A ,2016-05-11
[10]
BiFeO3薄膜的原子层沉积方法 [P]. 
张峰 ;
孙国胜 ;
王雷 ;
赵万顺 ;
刘兴昉 ;
曾一平 .
中国专利 :CN102776486A ,2012-11-14