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原子层沉积薄膜的针孔缺陷的检测方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010349287.4
申请日
:
2020-04-28
公开(公告)号
:
CN111524824A
公开(公告)日
:
2020-08-11
发明(设计)人
:
陈勇跃
申请人
:
申请人地址
:
201315 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号
:
H01L2166
IPC分类号
:
代理机构
:
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
:
郭四华
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-09-04
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20200428
2020-08-11
公开
公开
共 50 条
[1]
一种原子层氧化物沉积针孔缺陷检测方法
[P].
范荣伟
论文数:
0
引用数:
0
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0
范荣伟
.
中国专利
:CN107331633A
,2017-11-07
[2]
原子层沉积设备及原子层沉积薄膜的制备方法
[P].
陈蓉
论文数:
0
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机构:
华中科技大学
华中科技大学
陈蓉
;
曹坤
论文数:
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机构:
华中科技大学
华中科技大学
曹坤
;
严谨
论文数:
0
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0
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机构:
华中科技大学
华中科技大学
严谨
;
单斌
论文数:
0
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机构:
华中科技大学
华中科技大学
单斌
;
李易诚
论文数:
0
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0
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机构:
华中科技大学
华中科技大学
李易诚
;
胡嘉成
论文数:
0
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0
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0
机构:
华中科技大学
华中科技大学
胡嘉成
.
中国专利
:CN115198252B
,2024-04-23
[3]
金属薄膜的原子层沉积方法
[P].
水谷文一
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0
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水谷文一
;
东慎太郎
论文数:
0
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东慎太郎
;
竹泽直幸
论文数:
0
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竹泽直幸
.
中国专利
:CN110945157A
,2020-03-31
[4]
改善原子层沉积氮化硅薄膜缺陷的方法
[P].
姚建裕
论文数:
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0
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机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
姚建裕
.
中国专利
:CN120888896A
,2025-11-04
[5]
薄膜原子层沉积方法
[P].
田正豪
论文数:
0
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0
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机构:
北京集成电路装备创新中心有限公司
北京集成电路装备创新中心有限公司
田正豪
;
李丹
论文数:
0
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机构:
北京集成电路装备创新中心有限公司
北京集成电路装备创新中心有限公司
李丹
;
张渊明
论文数:
0
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机构:
北京集成电路装备创新中心有限公司
北京集成电路装备创新中心有限公司
张渊明
;
秦芳
论文数:
0
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0
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机构:
北京集成电路装备创新中心有限公司
北京集成电路装备创新中心有限公司
秦芳
.
中国专利
:CN120505605A
,2025-08-19
[6]
利用原子层沉积制备薄膜的方法
[P].
解婧
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0
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解婧
;
李超波
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李超波
;
夏洋
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夏洋
.
中国专利
:CN103866285B
,2014-06-18
[7]
利用原子层沉积制备薄膜的方法
[P].
金荣宽
论文数:
0
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0
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金荣宽
;
李相忍
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0
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李相忍
;
朴昌洙
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0
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朴昌洙
;
李相旼
论文数:
0
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0
李相旼
.
中国专利
:CN1200135C
,2000-02-16
[8]
利用原子层沉积法形成薄膜的方法
[P].
金荣宽
论文数:
0
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0
金荣宽
;
朴泳旭
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朴泳旭
;
林载顺
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0
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林载顺
;
崔城济
论文数:
0
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崔城济
;
李相忍
论文数:
0
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0
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0
李相忍
.
中国专利
:CN1234909C
,2001-04-25
[9]
原子层沉积技术制备薄膜的实现方法
[P].
李春雷
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0
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李春雷
;
李东旗
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0
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李东旗
;
何金正
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0
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0
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何金正
.
中国专利
:CN105568256A
,2016-05-11
[10]
BiFeO3薄膜的原子层沉积方法
[P].
张峰
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0
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张峰
;
孙国胜
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孙国胜
;
王雷
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王雷
;
赵万顺
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赵万顺
;
刘兴昉
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刘兴昉
;
曾一平
论文数:
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曾一平
.
中国专利
:CN102776486A
,2012-11-14
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