半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201320533931.9

申请日：

2013-08-29

公开(公告)号：

CN203553172U

公开(公告)日：

2014-04-16

发明(设计)人：

汉斯·彼得·费尔斯尔汉斯-约阿希姆·舒尔茨安东·毛德约阿希姆·魏尔斯

申请人：

申请人地址：

奥地利菲拉赫

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2707

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

余刚;李慧

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-16	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN207489874U ,2018-06-12

[2]

半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN208706615U ,2019-04-05

[3]

半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN208767278U ,2019-04-19

[4]

一种半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN208767306U ,2019-04-19

[5]

半导体器件结构 [P].

J·C·J·杰森斯 .

中国专利 :CN206451708U ,2017-08-29

[6]

半导体器件、半导体器件制造方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110880473A ,2020-03-13

[7]

半导体器件、半导体器件制造方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN110880473B ,2025-02-25

[8]

半导体器件 [P].

鹰巢博昭 .

中国专利 :CN101271900A ,2008-09-24

[9]

半导体器件 [P].

工藤弘仪 ;

德田悟 ;

打矢聪 .

中国专利 :CN208538858U ,2019-02-22

[10]

半导体器件 [P].

T·R·西米尼克 ;

D·拉福雷特 ;

C·阿尔斯塔特 ;

H·霍弗 .

:CN118782648A ,2024-10-15

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