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半导体器件
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201821459611.2
申请日
:
2018-09-06
公开(公告)号
:
CN208706615U
公开(公告)日
:
2019-04-05
发明(设计)人
:
不公告发明人
申请人
:
申请人地址
:
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号
:
H01L21762
IPC分类号
:
代理机构
:
北京律智知识产权代理有限公司 11438
代理人
:
袁礼君;阚梓瑄
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-04-05
授权
授权
共 50 条
[1]
半导体器件、半导体器件制造方法
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN110880473A
,2020-03-13
[2]
半导体器件、半导体器件制造方法
[P].
请求不公布姓名
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
请求不公布姓名
.
中国专利
:CN110880473B
,2025-02-25
[3]
半导体器件
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN208767278U
,2019-04-19
[4]
半导体器件
[P].
松井孝二郎
论文数:
0
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0
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0
松井孝二郎
;
阪本雄彦
论文数:
0
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0
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阪本雄彦
;
梅津和之
论文数:
0
引用数:
0
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0
梅津和之
;
宇野友彰
论文数:
0
引用数:
0
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0
宇野友彰
.
中国专利
:CN204204847U
,2015-03-11
[5]
半导体器件
[P].
汉斯·彼得·费尔斯尔
论文数:
0
引用数:
0
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0
汉斯·彼得·费尔斯尔
;
汉斯-约阿希姆·舒尔茨
论文数:
0
引用数:
0
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0
汉斯-约阿希姆·舒尔茨
;
安东·毛德
论文数:
0
引用数:
0
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安东·毛德
;
约阿希姆·魏尔斯
论文数:
0
引用数:
0
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0
约阿希姆·魏尔斯
.
中国专利
:CN203553172U
,2014-04-16
[6]
半导体器件
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
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0
不公告发明人
.
中国专利
:CN207489874U
,2018-06-12
[7]
半导体器件
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN208835063U
,2019-05-07
[8]
半导体器件
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN208835062U
,2019-05-07
[9]
半导体器件的制备方法及半导体器件
[P].
张魁
论文数:
0
引用数:
0
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0
张魁
;
应战
论文数:
0
引用数:
0
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0
应战
.
中国专利
:CN113990799B
,2022-01-28
[10]
半导体器件的制备方法及半导体器件
[P].
张魁
论文数:
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张魁
;
应战
论文数:
0
引用数:
0
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应战
.
中国专利
:CN113990800A
,2022-01-28
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