半导体器件

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201821459611.2
申请日
2018-09-06
公开(公告)号
CN208706615U
公开(公告)日
2019-04-05
发明(设计)人
不公告发明人
申请人
申请人地址
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号
H01L21762
IPC分类号
代理机构
北京律智知识产权代理有限公司 11438
代理人
袁礼君;阚梓瑄
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件、半导体器件制造方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN110880473A ,2020-03-13
[2]
半导体器件、半导体器件制造方法 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN110880473B ,2025-02-25
[3]
半导体器件 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN208767278U ,2019-04-19
[4]
半导体器件 [P]. 
松井孝二郎 ;
阪本雄彦 ;
梅津和之 ;
宇野友彰 .
中国专利 :CN204204847U ,2015-03-11
[5]
半导体器件 [P]. 
汉斯·彼得·费尔斯尔 ;
汉斯-约阿希姆·舒尔茨 ;
安东·毛德 ;
约阿希姆·魏尔斯 .
中国专利 :CN203553172U ,2014-04-16
[6]
半导体器件 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN207489874U ,2018-06-12
[7]
半导体器件 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN208835063U ,2019-05-07
[8]
半导体器件 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN208835062U ,2019-05-07
[9]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
张魁 ;
应战 .
中国专利 :CN113990799B ,2022-01-28
[10]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
张魁 ;
应战 .
中国专利 :CN113990800A ,2022-01-28