离子束电荷量控制方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610116847.1

申请日：

2006-09-30

公开(公告)号：

CN101153382A

公开(公告)日：

2008-04-02

发明(设计)人：

朱津泉

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

C23C1454

IPC分类号：

C23C1448 H01L21265

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-11-18	授权	授权
2011-12-21	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20111111 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101241324831 IPC(主分类):C23C 14/54 专利号:ZL2006101168471 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号
2019-09-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/54 申请日:20060930 授权公告日:20091118 终止日期:20180930
2008-04-02	公开	公开
2008-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

离子束电荷量控制方法 [P].

朱津泉 .

中国专利 :CN101153383B ,2008-04-02

[2]

离子束监测装置 [P].

A·J·默雷尔 ;

B·哈理森 ;

P·爱德华兹 ;

P·坎德斯利 ;

R·米切尔 ;

T·H·斯米克 ;

G·莱丁 ;

M·法利 ;

T·伊藤忠 .

中国专利 :CN1638014B ,2005-07-13

[3]

离子束照射装置及离子束照射方法 [P].

小野田正敏 ;

后藤亮介 ;

永尾友一 ;

宇井利昌 .

日本专利 :CN117790320A ,2024-03-29

[4]

离子束刻蚀方法 [P].

胡咏兵 .

中国专利 :CN119890037A ,2025-04-25

[5]

一种离子束导管 [P].

R·D·戈德堡 .

中国专利 :CN101140847B ,2008-03-12

[6]

离子束蚀刻设备 [P].

张容浩 ;

张博钦 ;

林立德 ;

林斌彦 .

中国专利 :CN115497802A ,2022-12-20

[7]

离子束蚀刻系统 [P].

哈梅特·辛格 ;

亚历克斯·帕特森 .

中国专利 :CN104282521A ,2015-01-14

[8]

离子束传输装置 [P].

钱锋 ;

陈炯 .

中国专利 :CN102117729A ,2011-07-06

[9]

离子束蚀刻系统 [P].

哈梅特·辛格 ;

亚历克斯·帕特森 .

中国专利 :CN107293468B ,2017-10-24

[10]

离子束检测装置及方法 [P].

朱孟辉 .

中国专利 :CN115831695B ,2025-04-18

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