一种高电阻率多铁性复合陶瓷及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611262680.X

申请日：

2016-12-30

公开(公告)号：

CN106699169B

公开(公告)日：

2017-05-24

发明(设计)人：

蒲永平高子岩

申请人：

申请人地址：

710021 陕西省西安市未央区大学园1号

IPC主分类号：

H01F137

IPC分类号：

C04B35468 C04B3526 C04B35626 C04B35622 C04B4188

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人：

陆万寿

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101727790576 IPC(主分类):C04B 35/468 专利申请号:201611262680X 申请日:20161230
2020-02-28	授权	授权
2017-05-24	公开	公开

共 50 条

[1]

一种软化磁滞回线多铁性复合陶瓷及其制备方法 [P].

蒲永平 ;

高子岩 .

中国专利 :CN106587971A ,2017-04-26

[2]

一种高介电常数低损耗束腰状磁滞回线多铁性复合陶瓷及其制备方法 [P].

蒲永平 ;

高子岩 .

中国专利 :CN106565233B ,2017-04-19

[3]

一种高电阻率稳定性氮化硅复合陶瓷及其制备方法 [P].

聂京凯 ;

张一铭 ;

侯东 ;

韩钰 ;

祝志祥 ;

刘辉 ;

姬军 ;

许宗超 ;

卢理成 .

中国专利 :CN118125832A ,2024-06-04

[4]

一种高电阻率的复合衬底及其制备方法 [P].

杨超 ;

胡文 ;

李真宇 ;

孔霞 ;

刘亚明 .

中国专利 :CN114373711A ,2022-04-19

[5]

一种高电阻率碳化硅陶瓷及其制备方法 [P].

夏云 .

中国专利 :CN104671793A ,2015-06-03

[6]

一种高电阻率氮化铝陶瓷基板及其制备方法 [P].

刘庆锋 ;

刘佳乐 ;

刘维华 ;

张风云 ;

杜鹏远 ;

刘付朋 .

中国专利 :CN120483732A ,2025-08-15

[7]

一种高电阻率氮化铝陶瓷基板及其制备方法 [P].

刘庆锋 ;

刘佳乐 ;

刘维华 ;

张风云 ;

杜鹏远 ;

刘付朋 .

中国专利 :CN120483732B ,2025-09-09

[8]

一种高电阻率碳化硅陶瓷及其制备方法 [P].

黄政仁 ;

梁汉琴 ;

刘学建 ;

姚秀敏 .

中国专利 :CN104098335A ,2014-10-15

[9]

一种Bi2Fe4O9/BaFe12O19复合陶瓷及其制备方法 [P].

蒲永平 ;

高子岩 .

中国专利 :CN105645944A ,2016-06-08

[10]

高电阻率高锆砖及其制备方法 [P].

张红哲 ;

张艺锋 ;

闫建敏 .

中国专利 :CN117326864A ,2024-01-02

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