一种碳化硅晶圆背面制程加工工艺

被引:0
申请号
CN202210812122.5
申请日
2022-07-12
公开(公告)号
CN114883187B
公开(公告)日
2022-08-09
发明(设计)人
唐义洲
申请人
申请人地址
610000 四川省成都市高新区蜀锦路88号1栋2单元48层1号、2号
IPC主分类号
H01L21304
IPC分类号
H01L2104 H01L21324 H01L2167 H01L2916
代理机构
成都四合天行知识产权代理有限公司 51274
代理人
廖祥文
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种碳化硅晶圆背面加工工艺 [P]. 
严立巍 ;
朱亦峰 ;
刘文杰 ;
马晴 .
中国专利 :CN115472550B ,2025-01-03
[2]
一种碳化硅晶圆背面加工工艺 [P]. 
严立巍 ;
朱亦峰 ;
刘文杰 ;
马晴 .
中国专利 :CN115472550A ,2022-12-13
[3]
一种碳化硅晶圆加工工艺 [P]. 
严立巍 ;
符德荣 ;
陈政勋 ;
文锺 .
中国专利 :CN113903656A ,2022-01-07
[4]
一种碳化硅晶圆衬底的加工工艺 [P]. 
贺金元 ;
龚廷 ;
周庆饴 .
中国专利 :CN120206312A ,2025-06-27
[5]
一种碳化硅晶圆切片工艺 [P]. 
严立巍 .
中国专利 :CN115958308B ,2025-08-08
[6]
一种碳化硅晶圆加工方法 [P]. 
严立巍 ;
朱亦峰 ;
刘文杰 ;
马晴 .
中国专利 :CN115472493A ,2022-12-13
[7]
超薄碳化硅晶圆转移工艺 [P]. 
严立巍 ;
文锺 ;
林春慧 ;
刘文杰 .
中国专利 :CN115376987A ,2022-11-22
[8]
一种碳化硅晶圆加工方法 [P]. 
严立巍 ;
朱亦峰 ;
刘文杰 ;
马晴 .
中国专利 :CN115472493B ,2025-12-19
[9]
碳化硅晶圆和碳化硅晶圆的氧化方法 [P]. 
林秀岩 ;
曹力力 ;
陈伟 ;
张永熙 ;
袁志巧 .
中国专利 :CN120322001A ,2025-07-15
[10]
一种碳化硅晶圆 [P]. 
张行富 ;
宣丽英 ;
潘胜浆 .
中国专利 :CN216773241U ,2022-06-17