晶片结合系统及其结合与剥离的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280010635.9

申请日：

2012-02-24

公开(公告)号：

CN103403855B

公开(公告)日：

2013-11-20

发明(设计)人：

迈克尔·布尔比纳杰弗里·N·布雷默埃里克·S·莫耶王圣克格雷·R·耶克尔

申请人：

申请人地址：

美国密歇根州

IPC主分类号：

H01L21683

IPC分类号：

代理机构：

北京安信方达知识产权代理有限公司 11262

代理人：

高瑜;郑霞

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-22	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/683 变更事项:专利权人变更前:道康宁公司变更后:美国陶氏有机硅公司变更事项:地址变更前:美国密歇根州变更后:美国密歇根州
2013-11-20	公开	公开
2013-12-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101551938146 IPC(主分类):H01L 21/683 专利申请号:2012800106359 申请日:20120224
2017-02-22	授权	授权

共 50 条

[1]

晶片结合装置和包括晶片结合装置的晶片结合系统 [P].

金兑泳 ;

姜泌圭 ;

金石镐 ;

文光辰 ;

李来寅 ;

李镐珍 .

中国专利 :CN109103124A ,2018-12-28

[2]

透光导电薄膜的半导体晶片结合方法 [P].

黄国欣 ;

陈泽澎 .

中国专利 :CN1126376A ,1996-07-10

[3]

结合基板通孔与金属凸块的半导体晶片结构及其制程方法 [P].

花长煌 ;

林志贤 .

中国专利 :CN104051421B ,2014-09-17

[4]

一种面料与衬布的结合方法、结合系统、结合结构及其应用 [P].

秦胜男 ;

郭家正 ;

王川 .

中国专利 :CN120345759A ,2025-07-22

[5]

一种晶片剥离装置、系统及控制晶片剥离的装置 [P].

朱刘 ;

刘留 .

中国专利 :CN104051308A ,2014-09-17

[6]

先进的操作晶片剥离方法 [P].

P·S·安德里 ;

R·A·巴德 ;

J·U·尼克博克 ;

R·E·特里辛斯基 ;

D·C·小拉图利普 .

中国专利 :CN104718605B ,2015-06-17

[7]

工件结合设备、控制结合波传播的方法以及工件结合系统 [P].

黄信华 ;

刘冠良 ;

刘丙寅 ;

吕国良 .

中国专利 :CN109560019A ,2019-04-02

[8]

覆晶件晶片的结合方法 [P].

谢文乐 ;

庄永成 ;

黄宁 ;

陈慧萍 ;

蒋华文 ;

张衷铭 ;

涂丰昌 ;

黄富裕 ;

张轩睿 ;

胡嘉杰 .

中国专利 :CN1313631A ,2001-09-19

[9]

用于不同半导体裸片和/或晶片的半导体晶片到晶片结合 [P].

阿尔温德·钱德拉舍卡朗 ;

布雷恩·M·亨德森 .

中国专利 :CN102484099B ,2012-05-30

[10]

一种光化学与机械抛光相结合的半导体晶片加工方法 [P].

董志刚 ;

康仁科 ;

欧李苇 ;

时康 ;

高尚 ;

朱祥龙 .

中国专利 :CN109616412A ,2019-04-12

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