一种低导通电阻的SiC IGBT及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410428862.4

申请日：

2014-08-28

公开(公告)号：

CN104241348B

公开(公告)日：

2014-12-24

发明(设计)人：

宋庆文周婷王悦湖汤晓燕张艺蒙张玉明

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L2906 H01L21331

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-24	公开	公开
2018-03-27	授权	授权
2015-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101595684421 IPC(主分类):H01L 29/739 专利申请号:2014104288624 申请日:20140828

共 50 条

[1]

一种低导通电阻的SiC MOSFET器件及制备方法 [P].

任真伟 ;

王晓 .

中国专利 :CN118553792B ,2024-10-29

[2]

一种低导通电阻的SiC MOSFET器件及制备方法 [P].

任真伟 ;

王晓 .

中国专利 :CN118553792A ,2024-08-27

[3]

一种具有低比导通电阻的SiC MOSFET器件及其制备方法 [P].

王俊 ;

张倩 ;

邓高强 .

中国专利 :CN114582975A ,2022-06-03

[4]

一种具有低比导通电阻的SiC MOSFET器件及其制备方法 [P].

王俊 ;

张倩 ;

邓高强 .

中国专利 :CN114582975B ,2024-10-18

[5]

一种低导通电阻的SiC MOSFET终端结构及其制备工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

杨琦 .

中国专利 :CN120640743B ,2025-11-14

[6]

一种低导通电阻的SiC MOSFET终端结构及其制备工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

杨琦 .

中国专利 :CN120640743A ,2025-09-12

[7]

一种低导通电阻功率半导体器件 [P].

刘斯扬 ;

戴志刚 ;

吴其祥 ;

叶然 ;

徐志远 ;

孙伟锋 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN107910357A ,2018-04-13

[8]

一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 .

中国专利 :CN108649072B ,2024-02-02

[9]

一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 .

中国专利 :CN108649072A ,2018-10-12

[10]

一种低导通电阻的SiC基MOSFET器件及其制备方法 [P].

江长福 ;

周贤权 .

中国专利 :CN115117145A ,2022-09-27

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