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一种低导通电阻的SiC MOSFET器件及制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410993690.9
申请日：
2024-07-24
公开(公告)号：
CN118553792B
公开(公告)日：
2024-10-29
发明(设计)人：
任真伟
王晓
申请人：
深圳平创半导体有限公司
重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请人地址：
518100 广东省深圳市宝安区西乡街道渔业社区名优采购中心B座B212
IPC主分类号：
H01L29/78
IPC分类号：
H01L29/06
H01L29/10
H01L21/336
代理机构：
重庆仟佰度专利代理事务所(普通合伙) 50295
代理人：
但航宇
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
广东省
深圳市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-09-13 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240724 |
| 2024-10-29 | 授权 | 授权 |
| 2024-08-27 | 公开 | 公开 |