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一种低导通电阻的SiC基MOSFET器件及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202210514739.9
申请日：
2022-05-12
公开(公告)号：
CN115117145B
公开(公告)日：
2025-09-09
发明(设计)人：
江长福
周贤权
申请人：
厦门紫硅半导体科技有限公司
申请人地址：
361000 福建省厦门市湖里区创新创业园伟业南楼301E室
IPC主分类号：
H10D62/10
IPC分类号：
H10D30/63
H10D30/01
代理机构：
厦门权要专利代理事务所(普通合伙) 35287
代理人：
李文秀
法律状态：
授权
国省代码：
江苏省
常州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-09-09 | 授权 | 授权 |