发光二极管芯片与发光二极管装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910717718.5
申请日
2019-08-05
公开(公告)号
CN110797444A
公开(公告)日
2020-02-14
发明(设计)人
庄东霖 黄逸儒 郭佑祯 兰彦廷 沈志铭 黄靖恩
申请人
申请人地址
中国台湾台南市善化区大利三路5号
IPC主分类号
H01L3336
IPC分类号
H01L3302 H01L3310 H01L3346
代理机构
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人
罗英;臧建明
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
发光二极管芯片、发光二极管 [P]. 
尹灵峰 ;
吴志浩 ;
高艳龙 ;
魏柏林 ;
王江波 .
中国专利 :CN209766464U ,2019-12-10
[2]
发光二极管芯片及发光二极管 [P]. 
刘珊珊 ;
纪思美 ;
陈顺利 ;
李士涛 .
中国专利 :CN210325841U ,2020-04-14
[3]
发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制备方法 [P]. 
刘珊珊 ;
纪思美 ;
陈顺利 ;
李士涛 .
中国专利 :CN112510133A ,2021-03-16
[4]
发光二极管芯片、发光二极管背板和发光二极管显示面板 [P]. 
李小丁 .
中国专利 :CN214956920U ,2021-11-30
[5]
发光二极管芯片 [P]. 
K.恩格尔 ;
M.毛特 ;
S.拉梅尔斯贝格尔 .
中国专利 :CN103069590A ,2013-04-24
[6]
发光二极管芯片 [P]. 
吴世熙 ;
金在权 ;
金钟奎 ;
金贤儿 ;
李俊燮 .
中国专利 :CN110168755A ,2019-08-23
[7]
发光二极管芯片 [P]. 
吕志轩 ;
陈誉云 ;
林永鑫 ;
李芳仪 ;
潘锡明 .
中国专利 :CN104868028B ,2015-08-26
[8]
发光二极管芯片 [P]. 
马蒂亚斯·扎巴蒂尔 ;
卢茨·赫佩尔 ;
安德烈亚斯·魏玛 ;
卡尔·恩格尔 ;
约翰内斯·鲍尔 .
中国专利 :CN104576871B ,2015-04-29
[9]
发光二极管芯片 [P]. 
小池正妤 ;
金范埈 .
中国专利 :CN101060156A ,2007-10-24
[10]
发光二极管芯片 [P]. 
顾之琛 ;
赵爽 ;
祝元坤 ;
陈伟新 ;
徐群超 .
中国专利 :CN121126993A ,2025-12-12