用于蚀刻导电多层膜的蚀刻剂组合物和使用其的蚀刻方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110334725.0

申请日：

2011-08-25

公开(公告)号：

CN102409342B

公开(公告)日：

2012-04-11

发明(设计)人：

徐宗铉

申请人：

申请人地址：

奥地利罗伊特

IPC主分类号：

C23F118

IPC分类号：

C23F126 C23F102

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

宋莉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-09-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101517323460 IPC(主分类):C23F 1/18 专利申请号:2011103347250 申请日:20110825
2016-01-13	授权	授权
2020-08-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23F 1/18 申请日:20110825 授权公告日:20160113 终止日期:20190825
2012-04-11	公开	公开

共 50 条

[1]

蚀刻剂组合物以及用于蚀刻多层金属膜的方法 [P].

徐宗铉 .

中国专利 :CN103572292A ,2014-02-12

[2]

导电膜蚀刻剂及蚀刻方法 [P].

张青 ;

廖显伯 .

中国专利 :CN1311350A ,2001-09-05

[3]

用于蚀刻铜基金属层的蚀刻剂组合物和使用它的蚀刻方法 [P].

鞠仁说 ;

金宝衡 ;

李钟文 .

中国专利 :CN105970224A ,2016-09-28

[4]

使用蚀刻剂的蚀刻方法 [P].

石田辉和 ;

出口友香里 ;

佐藤未菜 .

中国专利 :CN103820783A ,2014-05-28

[5]

氮化硅膜蚀刻组合物和使用其的蚀刻方法 [P].

金东铉 ;

朴贤宇 ;

洪性俊 ;

李明镐 ;

宋明根 ;

金薰植 ;

高在中 ;

李鸣仪 ;

黄俊赫 .

中国专利 :CN114250075A ,2022-03-29

[6]

用于蚀刻包含铜和钼的多层膜的液体组合物以及使用其的蚀刻方法 [P].

夕部邦夫 ;

玉井聪 .

中国专利 :CN103361644B ,2013-10-23

[7]

蚀刻组合物及使用该蚀刻组合物的蚀刻方法 [P].

李惠熹 ;

朴贤宇 ;

李明镐 ;

宋明根 ;

姜弼求 ;

崔胤洵 ;

洪文基 .

中国专利 :CN111849486B ,2020-10-30

[8]

蚀刻剂、蚀刻方法和蚀刻剂制备液 [P].

横沟贵宏 ;

鹤本浩之 ;

柿泽政彦 .

中国专利 :CN105378901B ,2016-03-02

[9]

透明导电膜蚀刻剂 [P].

李锡重 ;

朴忠雨 ;

李泰亨 .

中国专利 :CN102177219A ,2011-09-07

[10]

干蚀刻剂以及使用其的干蚀刻方法 [P].

日比野泰雄 ;

梅崎智典 ;

菊池亚纪应 ;

毛利勇 ;

冈本觉 .

中国专利 :CN102741987B ,2012-10-17

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